一种基于埋层结构的自举二极管及制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种集成电路结构，所述集成电路结构包含电子开关、电阻模块以及一种N型衬底上的半导体结构，该半导体结构内包含一个结型场效应管；通过电子开关以及半导体结构的其他部分对半导体结构内的结型场效应管的开启与关断进行控制，从而实现了与栅极驱动电路中自举二极管相同的功能；本发明专利技术还公开了该集成电路结构的制造工艺；本发明专利技术的工艺能简单的集成在本身的芯片工艺中，不会增加额外的工艺步骤，易于生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种实现自举二极管功能的集成电路结构，尤其涉及一种基于埋层机构的实现自举二极管的半导体器件及其制造工艺。
技术介绍
如图1所示在驱动半桥的MOS管的时候，一般是上管、下管轮流导通的时序；当上管关闭，下管导通的时候，Vs的电位为公共端电位（一般为0），Q1的漏极（Drain端）电位为HV（比如600V），这时Vcc经过Dbs向Cbs充电，充满后Cbs为上管驱动（Drv1）提供驱动电压Vg1=Vcc（比如20V），由控制端信号控制Q1的开关；当上管导通，下管关断的时候，Vs端电位浮动到HV，此时Vb的电位由于电容Cbs的缘故，被浮动到HV+Vcc，此时就必须要自举二极管Dbs承受Vb到Vcc的反向电压，防止Vb回灌电流到Vcc上去；一般的技术是用分立的自举二极管Dbs，在芯片外部连接；（参考专利：US5969964A）另外还有采用ChargePump（电荷泵）+集成高压MOSFET的结构（如图2所示）来实现自举二极管的功能；（参考ST产品L6569的产品说明书）使用外置自举二极管的需要增加外围电路的连接，可靠性降低，且会增加整体成本；直接在体硅材料上集成二极管的话，由于二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现自举二极管功能的集成电路结构，包含电阻、电子开关模块以及一种半导体结构，所述半导体结构的特征在于：N型高浓度衬底上设有N型轻掺杂外延层，N型轻掺杂外延层的其中一半区域内设有P型埋层，P型埋层上设有第一N阱，第一N阱上设有第一N型重掺杂，第一P型重掺杂以及第二N型重掺杂；其中第一N型重掺杂与第一P型重掺杂之间由电阻相连，第一P型重掺杂与GND之间由电子开关相连；P型埋层上还有第一P阱，第一P阱上有第二P型重掺杂。

【技术特征摘要】
1.一种实现自举二极管功能的集成电路结构，包含电阻、电子开关模块以及一种半导体结构，所述半导体结构的特征在于：N型高浓度衬底上设有N型轻掺杂外延层，N型轻掺杂外延层的其中一半区域内设有P型埋层，P型埋层上设有第一N阱，第一N阱上设有第一N型重掺杂，第一P型重掺杂以及第二N型重掺杂；其中第一N型重掺杂与第一P型重掺杂之间由电阻相连，第一P型重掺杂与GND之间由电子开关相连；P型埋层上还有第一P阱，第一P阱上有第二P型重掺杂。2.一种如权利要求1所述的集成电路结构的制造工艺，其特征在于：包括以下步骤：在N型高浓度衬底上设置N型轻掺杂外延层，N型高浓度衬底的电阻率为0.0001~0.1欧姆•厘米，N型轻掺杂外延层的电阻率为10～200欧姆•...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡浩，宁小霖，
申请(专利权)人：南京星焱微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32