【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及对半导体基板等被处理基板进行等离子体处理的等离子体处理装置、 等离子体处理方法和计算机可读取的存储介质。
技术介绍
例如，在半导体器件的制造过程中，为了在作为被处理基板的半导体晶片上形成的规定层上形成规定图案，大多采用以抗蚀剂作为掩模、利用等离子体进行蚀刻的等离子体蚀刻处理。作为用于进行这样的等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，使用各种装置，其中，主流为电容耦合型平行平板等离子体处理装置。在电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置中，在腔室内配置一对平行平板电极 (上部和下部电极)，将处理气体导入腔室内，并且向一个电极施加高频，在电极间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体，对半导体晶片的规定层进行等离子体蚀刻。具体地说，已知有向上部电极施加等离子体形成用的高频以形成等离子体、向下部电极施加离子引入用的高频，由此形成适当的等离子体状态的等离子体蚀刻装置，由此， 能够以高选择比进行再现性高的蚀刻处理(例如，特开2000-173993号公报(专利文献 1))。可是，与近年来的微细加工的要求对应，作为掩模使用的光致抗蚀剂的膜厚变薄， 使用的光致抗蚀剂也...
【技术保护点】
１．一种等离子体处理方法，其特征在于：在处理容器内，将第一电极和支承被处理基板的第二电极相对配置，一边向所述第一电极施加频率相对较高的第一高频电力、并向所述第二电极施加频率相对较低的第二高频电力，一边向所述处理容器内供给处理气体，以生成所述处理气体的等离子体，对被支承在所述第二电极上的被处理基板进行等离子体处理，该等离子体处理方法具有：向所述第一电极施加直流电压的工序；和一边向所述第一电极施加直流电压，一边对所述被处理基板进行等离子体处理的工序，在对被支承在所述第二电极上的被处理基板的绝缘膜进行蚀刻时，使用ＣＦ４、Ａｒ、Ｎ２、ＣＨＦ３的组合作为所述处理气体。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：舆石公，杉本胜，日向邦彦，小林典之，舆水地盐，大谷龙二，吉备和雄，齐藤昌司，松本直树，大矢欣伸，岩田学，矢野大介，山泽阳平，花冈秀敏，速水利泰，山崎广树，佐藤学，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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