处理装置及成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种处理装置及成膜方法。本发明专利技术的处理装置用于对多张被处理体实施规定的处理，包括：处理容器构造，其具有处理容器，在处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，并且在另一侧形成有排气口，该排气口用于排出由喷嘴容纳区域沿水平方向放出的气体；盖部，其用于堵塞处理容器构造的下端的开口部侧；支承体构造，其用于支承被处理体，并且能够插入到处理容器构造内或从处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于喷嘴容纳区域内并用于导入气体的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热被处理体；控制部件，其用于控制整个装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种对半导体晶圆等被处理体实施成膜处理的。
技术介绍
为了制造半导体集成电路，通常是对由硅基板等构成的半导体晶圆进行成膜处理、蚀刻处理、氧化处理、扩散处理、改性处理、自然氧化膜的去除处理等各种处理。这些处理是使用逐张处理晶圆的单片式的处理装置、一次处理多张晶圆的分批式的处理装置来进行。例如，当利用日本特开平6-275608号公报等公开的立式的、所谓分比式的处理装置来进行这些处理时，首先将半导体晶圆自能够容纳多张、例如25张左右半导体晶圆的盒中移载到立式的晶圆舟皿中，并呈多层地将晶圆支承在该晶圆舟皿中。该晶圆舟皿例如取决于晶圆的规格，能够载置25 150张左右的晶圆。在将上述晶圆舟皿自能排气的处理容器的下方搬入(加载)到该处理容器内之后，维持处理容器内为气密的状态。然后，一边控制处理气体的流量、工艺压力、工艺温度等各种工艺条件，一边实施预定的热处理。在该热处理中，例如以成膜处理为例，作为成膜处理的方法公知有 CVD(Chemical Vapor D印osition)法(日本特开2004-006551 号公报)、ALD(Atomic Layer Deposition)法本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种处理装置，其用于对多张被处理体实施规定的处理，该处理装置包括：处理容器构造，其在下端设置有开口部，该处理容器构造具有处理容器，该处理容器在内部具有用于容纳上述被处理体的处理空间，在上述处理空间的一侧设置有喷嘴容纳区域，在与上述喷嘴容纳区域相反的一侧设置有狭缝状的排气口；盖部，其用于堵塞上述处理容器构造的下端的上述开口部；支承体构造，其用于支承上述多张被处理体，并且能够插入到上述处理容器构造内或从上述处理容器构造内拔出；气体导入部件，其具有被容纳于上述喷嘴容纳区域内的气体喷嘴；排气部件，其具有用于排出上述处理容器构造内的气氛气体的多个排气系统；加热部件，其用于加热上述被处理体；控制部件，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：和村有，两角友一朗，佐藤泉，浅利伸二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP