【技术实现步骤摘要】
本专利技术整体上涉及一种抗蚀剂等涂敷液的涂敷技术,特别是涉及一种对在涂敷液之前被供给到基板上的预湿液的表面张力进行调整,从而改善涂敷液的覆盖性的技术。
技术介绍
在半导体器件的制造工艺中的光刻工艺中,依次进行在半导体晶圆(以下称作 “晶圆”。)上涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷工序、将抗蚀剂膜曝光成规定图案的曝光工序、和使被曝光了的抗蚀剂膜显影的显影工序等,从而在晶圆上形成规定的抗蚀剂图案。在抗蚀剂涂敷工序中,多采用所谓的旋转涂敷法,该方法自喷嘴将抗蚀剂液供给到正在旋转的晶圆表面的中心部,使该抗蚀剂液在离心力的作用下向径向外侧扩散,从而利用抗蚀剂液覆盖晶圆的整个表面。随着最近的半导体器件的电路的更微细化,推进抗蚀剂涂敷处理中的抗蚀剂膜的薄膜化。另外,抗蚀剂液的价格昂贵,需要尽量减少使用量。另外,在利用少量的抗蚀剂液覆盖晶圆的整个表面的情况下,提高抗蚀剂液膜厚的面内均勻性变得更加重要。作为用于利用较少的抗蚀剂液的喷出量均勻地涂敷抗蚀剂的方法,公知预湿技术。在预湿处理中,为了能够容易地利用少量的抗蚀剂液均勻地覆盖晶圆的整个表面,在将抗蚀剂液供给到晶圆上之前,将 ...
【技术保护点】
1.一种涂敷方法,其特征在于,该方法包括:预湿工序,将预湿液供给到第1基板的中心,并且使上述第1基板旋转而使上述预湿液扩散到基板的整个表面上;涂敷膜形成工序,向供给了上述预湿液的上述第1基板供给涂敷液,使该涂敷液干燥,从而在第1基板的表面上形成涂敷膜,上述涂敷膜形成工序包括:在使上述第1基板旋转的状态下将涂敷液供给到上述第1基板的中心部的第1阶段;然后降低上述第1基板的旋转速度而继续使上述第1基板旋转的第2阶段;然后增加上述第1基板的旋转速度而使上述第1基板上的涂敷液干燥的第3阶段,在上述第1阶段中,在马上将上述涂敷液供给到上述第1基板上之前,使上述第1基板以恒定的第1速度 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:一野克宪,吉原健太郎,吉原孝介,
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社,
类型:发明
国别省市:JP
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