本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高RF偏置功能的控制性，针对微细加工的各种要求条件实现等离子体工艺的最优化。该等离子体处理装置中，从第三高频电源(66)对上部电极(46)(或下部电极(12))施加适于电容耦合的等...

提供一种当将基板的周缘部存在缺口的基板用夹具保持并搬运时，能够高精度地检测基板位置的偏移量，能够容易地修正该偏移量，并且同时确认夹具的状态并进行修正的基板搬运装置。包括：基座；设置成从基座进退自如，保持基板的保持部；当保持部以保持有基板...

本发明提供一种涂覆装置以及喷嘴的维护方法，其防止在喷嘴内的流路内的异物的附着、并在对被处理基板涂覆处理液时从狭缝状的喷嘴喷出口均匀地喷出处理液。从喷嘴的喷出口向基板(G)喷出处理液并形成涂覆膜的涂覆装置(1)包括：喷嘴(16)，其从狭缝...

本发明提供基板处理装置和温度调节方法。基板处理装置包括设置空间较少、能够简化装置结构的温度调节部件。其包括：对基板实施等离子体处理的腔室(11)、在腔室内用于载置基板的基座(12)、以隔着处理空间(S)与基座相对的方式设置的喷淋头(14...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体控制方法，能够任意地控制处理室内的等离子体分布，还能够使处理室内的等离子体密度均匀化，对基板实施均匀的等离子体处理。该等离子体处理装置包括：对晶片(W)实施规定的等离子体处理的能够进行真空排气的腔室(...

本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述...

本发明提供一种线材接触防止构件和加热器装置的维护方法。该线材接触防止构件具有绝缘性，其特征在于，该线材接触防止构件被设在加热器装置(48)中，该加热器装置(48)具有螺旋状卷绕而配置在需要加热的被加热体(W)的外周的加热器线材(52)，...

本发明提供能够根据功率生成与RF天线一一对应的等离子体，并能够任意地控制处理室内的等离子体分布的等离子体处理装置。包括：对基板(G)实施等离子体处理的可排真空的腔室(11)；在腔室(11)内载置基板(G)的基座(12)；配置成隔着基座(...

本发明提供一种能够简便地对使液体的药剂气化而获得的处理气体是否被供给到基板进行检测的气化装置、基板处理装置、涂覆显影装置和基板处理方法。该基板处理装置具有该气化装置，该涂覆显影装置具有该基板处理装置，公开的气化装置包括：气体供给部，其将...

本发明公开一种冷却被处理体的冷却方法。该冷却方法包括：将加热状态的被处理体载置于载物台上的工序；和向包含载置于载物台上的被处理体中心的中心附近区域喷射冷却气体来冷却被处理体的工序。

本发明公开一种闸阀装置，其包括：具有第一阀座和第二阀座并形成有开口部的阀箱；和具有与第一阀座接触并密封开口部的密封部件的阀体。在该闸阀装置中，在阀体上设置有当阀体封住开口部时与第二阀座接触并弯曲，隔断开口部和密封部件之间的空隙的遮挡部件...

本发明提供半导体制造装置及调温方法。与以往的调温方法相比，能够实现半导体晶圆的均匀的调温和高响应性。半导体制造装置包括在内部具有空洞(21)的晶圆载置台(2)、及为了将晶圆载置台(2)的温度调整为工艺温度而向空洞(21)的内壁喷射工艺温...

本发明提供一种成膜装置。其防止形成电子注入层的有机EL元件的金属层的劣化。成膜装置PM1具有：处理容器(100)，其于内部在基板上实施所需的处理；蒸镀源(200)(第一蒸镀源)，其收纳有机材料，将被收纳的有机材料加热并使其气化；第一喷出...

本发明提供一种成膜装置以及成膜方法，在使用固体原料进行成膜的情况下，能够将成膜原料气体稳定地且有效地向基板的表面供给，并且降低微粒污染、杂质向膜中混入的可能性。成膜装置(100)具备收纳晶片(W)的处理容器(1)；加热晶片(W)的基板加...

本发明提供一种在无需加热基板载置台就能够在基板载置面形成树脂突起物层的基板载置面形成树脂突起物层的方法。包括：贴合步骤，将树脂突起物层复制部件(40)的涂布在树脂突起物层(43)的第二粘合剂层(44)向基板载置面(55)按压，将树脂突起...

一种金属硅化物膜的形成方法，具有：准备在表面具有硅部分的基板的工序(步骤1)，通过使用含氮金属化合物作为成膜原料的CVD在硅部分的表面形成金属膜的工序(步骤2)，及其后，对基板在氢气氛下实施退火，通过金属膜与硅部分的反应而形成金属硅化物...

本发明提供了一种等离子体蚀刻方法。一种对衬底进行处理的方法，其用于当在所述衬底上形成掩模图案之后通过蚀刻处理来形成期望的图案，该方法包括以下步骤：在衬底上形成两个层；测量掩模图案以及两个层中一者的蚀刻图案的宽度；以及基于所测量的宽度来调...

本发明提供了一种用于形成半导体器件用的具有降低的等效氧化物厚度(EOT)的高k栅极叠层的方法。该方法包括：提供含硅的衬底；在所述含硅衬底上形成界面层，其中该界面层具有第一等效氧化物厚度；将第一高k膜沉积在所述界面层上；并且在形成改性界面...

本发明提供一种使腔室内的负荷的阻抗与微波电源的特性阻抗自动匹配的调谐器(60)，其包括：主体(51)，其具有呈筒状的外侧导体(52)和在其中同轴设置的、呈筒状的内侧导体(53)，成为微波传送路径的一部分；铁心(61a、61b)，其设置于...

向腔室内搬入被处理基板的晶片，将腔室内保持于真空状态，加热晶片，同时向腔室内交替地供给TiCl4气体和MMH气体，在晶片上形成TiN膜。