蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。
技术介绍
通常，在半导体制造装置的气体的供给系统中，多种气体从设在装置外的气体箱输出，经由多个独立气体供给管线而在一根共用配管(歧管)处合流，被导入到半导体制造装置的处理容器内。在同一个装置内切换气体种类时，为了不给切换前后的工艺带来不良影响而进行了一种试验。作为该试验的一个例子，提出有在执行切换后的工艺之前执行5秒左右的稳定步骤的试验。由此，能够确保切换后的工艺的稳定性(stability)。另外，由此，在质量流量控制器(MFC=Mass Flow Controller)的阀被从闭控制成开时的初期产生的气体流量的波动(overshoot)在稳定步骤中被吸收，因此，能够避免上述波动给切换后的工艺带来不良影响。在专利文献1以及专利文献2中公开有一种在蚀刻工序与成膜工序的切换工序中对气体进行控制的技术。例如，在专利文献1中，提出有在切换蚀刻气体与沉积气体之间设置包括蚀刻气体与沉积气体双方的过渡工序，由此，缓和切换时的气体种类的不连续性。在专利文献2中提出有在切换蚀刻气体与沉积气体时用被安装在各气体供给管线上的质量流量控制器分别对各气体的流量进行控制，并用被安装在共用配管上的质量流量控制器对混合后的气体的总流量进行控制，之后将该气体供给到处理容器内。专利文献1 日本特开平11-195641号公报专利文献2 日本特开2000-306887号公报然而，在专利文献1、专利文献2中，完全没有公开对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制、从而进行使气体流量稳定的控制的气体的供给方法。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种能够使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制、从而进行使气体流量稳定的控制的蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。为了解决上述问题，采用本专利技术的一个技术方案，提供一种蚀刻气体的供给方法， 其特征在于，其包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内的步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给到上述处理容器内。采用该结构，在切换气体时，在切换后也只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要、但作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。由此，能够消除在质量流量控制器的阀被从闭切换到开时产生的气体流量的波动现象，能够避免对切换后的蚀刻产生由上述现象引起的影响。另外，采用该结构，不需要切换用的阀、切换用的配管，能够以原样地使用原有的装置的简易的方法进行使气体流量稳定的控制。上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的流量也可以被气体流量控制设备控制，将上述微少量控制成上述气体流量控制设备能够控制的最大流量的 3%。上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的流量也可以被气体流量控制设备控制，将上述微少量控制成上述气体流量控制设备能够控制的最小流量以上的微少量。也可以在存在上述切换前的蚀刻气体所含有且切换后的蚀刻气体所不含有的多种气体的情况下，以微少量将该多种气体分别继续供给。上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体也可以在针对每种气体设置的多个独立气体供给管线中流动，在与该多个独立气体供给管线连接的共用配管处合流，被供给到上述处理容器内。上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体的切换也可以被交替地反复执行，每次从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，以微少量将切换前的工艺所需要且切换后的工艺所不需要的蚀刻气体供给。上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体也可以为沉积性比另一种气体的沉积性强的气体。另外，为了解决上述问题采用本专利技术的其他的技术方案，提供一种蚀刻装置，其包括处理容器、用于在上述处理容器内中载置被处理体的基座、用于供给气体的气体供给源、 用于对气体的流量进行控制的气体流量控制设备，该蚀刻装置用于在上述处理容器内使气体激发而对上述被处理体进行等离子体蚀刻，该蚀刻装置的特征在于，上述气体供给源将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体和第2蚀刻气体供给到上述处理容器内，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，上述气体流量控制设备以只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给到上述处理容器内的方式对气体流量进行控制。如上面说明那样，采用本专利技术，能够使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的一实施方式的蚀刻装置的纵剖视图。图2是表示从C4F6气体切换到C4F8气体时产生的C4F8气体流量的曲线图。图3是表示从C4F8气体切换到C4F6气体时产生的C4F6气体流量的曲线图。图4是表示在以微少量继续供给C4F6气体的情况下从C4F6气体切换到C4F8气体时产生的C4F8气体流量的曲线图。图5是表示在以微少量继续供给C4F8气体的情况下从C4F8气体切换到C4F6气体时产生的C4F6气体流量的曲线图。具体实施例方式下面，参照添附附图详细说明本专利技术的一实施方式。另外，在本说明书以及附图中，对于实质上具有相同的功能结构的构成要素通过标注相同的附图标记而省略重复说明。(蚀刻装置以及气体供给系统)首先，参照图1说明本专利技术的一实施方式的蚀刻装置的整体结构。图1是表示本专利技术的一实施方式的蚀刻装置的概略结构的纵剖视图。蚀刻装置10包括在内部对晶圆W进行蚀刻处理的处理容器100。在处理容器100 的外部设有气体供给系统20。气体供给系统20包括气体箱200 ；多个独立气体供给管线 210、212、214、216;共用配管(歧管)；混合气体供给管线230。在气体箱200中，作为气体供给源，设有&气体供给源202、Ar气体供给源204、C4F8气体供给源206、C4F6气体供给源 208，在独立气体供给管线210、212、214、216的上游侧各气体供给源与各独立气体供给管线一一对应地连接。独立气体供给管线210、212、214、216的下游侧与一根共用配管220连接。通过该结构，从各气体供给源输出的A气体、Ar气体、C4F8气体、C4F6气体分别在独立气体供给管线210、212、214、216中流动，在共用配管220处合流。在独立气体供给管线210、212、214、216上设有质量流量控制器M0J42J44、 M6、阀Vl V4、阀V5 V8，其中，质量流量控制器M0、M2、M4、246用于对气体的流量进行控制，阀Vl V4以及阀V5 V8用于对各独立气体供给管线进行开闭而被设在质量流量控制器MFC的前后。共用配管220的下游侧与混合气体供给管线230连接。混合气体供给管线230与用于进行蚀刻处理的处理容器100连接。为了除去混合气体中的微粒，在混合气体供给管线230上设有过滤器250以及阀V9。处理容器100为例如由表面被阳极氧化处理的铝构成的大致圆筒状的腔室。处理容器100被接地。在处理容器100的底部设有例如由铝构成的基座105。基座105构成下部电极，并在基座105上载置被处理体、即半导体晶圆W。蚀刻装置10为本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种蚀刻气体的供给方法，其特征在于，其包括：将用于蚀刻工艺的第１蚀刻气体供给到处理容器内的步骤；将用于上述蚀刻工艺的第２蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第１蚀刻气体以及上述第２蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给到上述处理容器内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小笠原正宏，加藤义之，水野秀树，早川欣延，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP