本发明提供一种被处理体的输送方法和被处理体处理装置。公开了一种即使缩短各种处理的处理时间也能够抑制生产率达到极限的情况的被处理体的输送方法。在该输送方法中，将多个加载互锁室构成为能够收容多个被处理体，将处理前的第1被处理体输入到多个加载...

本发明提供一种能使保持了高流动性的状态的颗粒状的有机材料有效地升华、溶解的蒸镀处理装置和蒸镀处理方法。是通过蒸镀在基板上使薄膜成膜的蒸镀处理装置，具备供给材料气体的、自由减压的材料供给装置和在上述基板上使薄膜成膜的成膜装置，所述材料供给...

本发明提供一种热处理装置(100)，具备收容晶片W的处理容器(1)、在处理容器(1)内水平地支承晶片的基板支承部(4)、和设置于处理容器(1)的上方的灯组件(3)，灯组件(3)具有：底座部件(40)；在底座部件40的下表面使前端朝向下方...

本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置...

本发明提供等离子体处理装置及等离子体处理方法。该等离子体处理装置是向载置被处理体的载置台的电极供给偏压用高频电力的方式的等离子体处理装置，抑制等离子体电位的振动，生成稳定的等离子体，并防止由金属制的相对电极的溅蚀导致产生污染。在盖构件(...

提供一种晶片W检查用接口，能够实现检查室的省空间化，并且多个检查室共用对准机构。本发明的晶片W检查用接口IF，具备：探针卡(19)；将晶片W吸附在探针卡(19)上的吸附机构(20)；吸附探针卡(19)的晶片吸附用密封部件(21)；相对于...

本发明的目的在于提供一种使用多个磁控管以减少反射电力，从而能够照射微波的微波照射装置以及微波照射方法。微波照射装置100包括：收纳被处理体的腔室1；通过供给电压使其产生微波，将该微波照射在所述腔室1内的被处理体上的多个磁控管10a、10...

提供一种使处理容器内的温度高精度地收敛到目标温度并且能够缩短收敛时间的纵型热处理装置及其控制方法。热处理装置(1)具备：炉本体(5)、设置在炉本体(5)内周面的加热器(18A)、配置在炉本体(5)内的处理容器(3)、连接在炉本体(5)的...

本发明提供一种Ge-Sb-Te膜的成膜方法和存储介质。该成膜方法是使用气体状的Ge原料、气体状的Sb原料、气体状的Te原料、利用CVD在基板上形成Ge2Sb2Te5的Ge-Sb-Te膜的Ge-Sb-Te膜的成膜方法，其包括：将基板配置在...

进行一次或多次包括以下工序的循环：通过CVD在基板上形成含氮的Ni膜的工序，其中，作为成膜原料使用脒基镍，作为还原气体使用选自氨、肼或这些的衍生物中的至少一种；和对形成的含氮的Ni膜供给氢气，以Ni作为催化剂产生原子氢，通过产生的原子氢...

本发明提供一种液体加热单元、具有该单元的液处理装置和液处理方法。液体加热单元、具有该液体加热单元的液处理装置、液处理方法能够对内部的液体由于放射光的透过而被加热的液体存储槽或者导管的温度进行监视。本发明公开了一种液体加热单元，其包括：灯...

本发明的等离子体处理装置具备：将由电磁波发生装置产生的电磁波导入所述处理容器内的平面天线部件；向平面天线部件供给电磁波的波导管；重叠设置在平面天线部件之上，改变从波导管供给的电磁波的波长的滞波板；和从上方覆盖滞波板和平面天线部件的罩部件...

本发明涉及一种成膜装置，在能够抽真空的处理容器内，使用有机金属原料气体在被处理体表面形成薄膜的成膜装置中，其特征在于，在暴露在所述处理容器内的气氛的部件的表面，设置疏水层。

公开了在等离子体处理装置的处理容器内使氢气和含氧气体的等离子体对在表面上露出了硅和金属材料的被处理体发挥作用，用该等离子体有选择地对上述硅进行氧化处理的选择氧化处理方法，该选择氧化处理方法包括：气体导入工序，其将经由第一供给路径的第一惰...

本发明公开了一种能够使氧化锰膜与Cu的密合性良好的氧化锰膜的形成方法、半导体装置的制造方法及半导体装置。在该氧化锰膜的形成方法中，将含有锰的气体供给到氧化物上，在氧化物上形成氧化锰膜。将此时的氧化锰膜的成膜温度设为100℃以上且小于40...

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法。在构成多组件的组件成为不可使用组件时，抑制生产率的降低。产生了不可使用组件之后，将基板交付到在多个单区之中的最先成为能够载置的状态的输入组件中，在上述多个单区的每一个中，按照基板被交付到输入组件...

本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜方法通过使旋转台旋转，多次进行由使用含Si气体和O3气体在晶圆(W)上形成反应生成物的成膜步骤、利用等离子体对上述反应生成物进行改性的改性步骤构成的成膜-改性处理，并且在薄膜的形成途中对等离子体的...

本发明提供一种液处理装置，其能够对基板处理中不使用的处理喷嘴进行维修，能够实现提高生产率和省空间化。该液处理装置包括：围绕铅直轴自由旋转的转动基体；在第一处理区域和第二处理区域的外侧以待机状态设置在所述转动基体上，并被所述第一处理区域和...

本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：旋转台，包括能分别载置直径为300mm的基板的10个以上的载置区域；第1反应气体供给部，配置在容器内的第1区域，向旋转台供给第1反应气体；第2反应气体供给部，配置在沿旋转台的旋转方向与第1区域分开...

本发明提供一种能使真空绝热层形成体的外侧壳的弯曲强度提高的热处理装置。热处理装置(1)包括筒状的反应管(3)，用于对晶圆W进行装载从而保持的舟皿(5)，设于反应管(3)的外周上的加热器(2)，以及设于加热器(2)的外周上的真空绝热层形成...