纵型热处理装置及其控制方法制造方法及图纸

提供一种使处理容器内的温度高精度地收敛到目标温度并且能够缩短收敛时间的纵型热处理装置及其控制方法。热处理装置(1)具备：炉本体(5)、设置在炉本体(5)内周面的加热器(18A)、配置在炉本体(5)内的处理容器(3)、连接在炉本体(5)的冷却介质供给鼓风机(53)和冷却介质排气鼓风机(63)以及设置在处理容器(3)内的温度传感器(50)。来自温度传感器(50)的信号发送给控制装置(51)的加热器输出运算部(51a)。在加热器输出运算部(51a)中，根据由设定温度决定部(51c)求出的设定温度(A)和来自温度传感器(50)的温度来求出在仅用加热器(18A)进行温度调整时的加热器输出。鼓风机输出运算部(51b)根据加热器输出来产生鼓风机输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
在半导体设备的制造中，为了对被处理体例如半导体晶圆实施氧化、扩散、CVD、退火等的热处理而使用各种热处理装置。作为其一，已知能够一次进行多张的热处理的纵型热处理装置。该纵型热处理装置具备石英制的处理容器，其在下部具有开口部；盖体，其开闭该处理容器的开口部；保持工具，其设置在该盖体上，在上下方向以规定的间隔来保持多张被处理体；以及炉本体，其设置在前述处理容器的周围，包含对搬入在处理容器内的前述被处理体进行加热的加热器。另外，作为纵型热处理装置，还提出了具备送风机的装置，该送风机用于向包含加热器的炉本体内送入空气来对处理容器强制地进行空冷(例如，参照日本特开 2002-305189号公报)。前述送风机是为了在热处理结束之后迅速地冷却晶圆以及处理容器而使用。另外，作为热处理，有例如在晶圆形成低介电常数的膜时那样低温域例如100 500°C中的热处理。在该低温域中的热处理的情况下如何迅速地升温/收敛为规定的热处理温度成为课题。作为低温用热处理装置，提出了为了使热响应性良好而不使用石英制的处理容器但具有金属制的处理室的热处理装置。另一方面，在热处理时产生反本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉井弘治，山口达也，王文凌，斋藤孝规，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：