等离子体处理装置制造方法及图纸

等离子体处理装置（１１）具备：在其内部对被处理基板Ｗ进行等离子体处理的处理容器（１２）；配置在处理容器（１２）内且将被处理基板（Ｗ）保持在其上面的保持台（１４）；被设置在与保持台（１４）对置的位置，并且将微波向处理容器（１２）内导入的电介质板（１６）；向被保持在保持台（１４）上的被处理基板（Ｗ）的中央区域供应等离子体处理用的反应气体的反应气体供应部（１３）。这里，反应气体供应部（１３）包含喷射器基座（６１），该喷射器基座（６１）被配置在比与保持台（１４）对置的呈相对面的电介质板（１６）的下表面６３向电介质板（１６）的内侧后缩的位置。在喷射器基座（６１）中设置有将等离子体处理用的反应气体向处理容器（１２）内供应的供应孔（６６）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及等离子体处理装置，尤其涉及将微波作为等离子体源来产生等离子体 的等离子体处理装置。
技术介绍
LSI (Large Scale Integrated Circuit :超大规模集成电路)等半导体装置是通 过对作为被处理基板的半导体基板(晶片)实施蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition 化学气相淀积)、溅射等多种处理后制造而成的。对于蚀刻、CVD、和溅射等处理，存在作为 其能量供应源使用了等离子体的处理方法。即，等离子蚀刻、等离子CVD、和等离子溅射等。这里，在日本特开2005-100931号公报(专利文献1)中公开了一种使用了微波的 等离子体处理装置作为等离子体的发生源的技术。根据专利文献1，在在等离子体处理装置 中所设置的顶板(电介质板)的下表面侧设置有锥形的凸部或者凹部。通过由微波发生器 产生的微波在顶板的下表面侧的锥形的凸部或凹部形成电场的最适谐振区域，使得在腔室 (处理容器)内产生稳定的等离子体，从而进行上述的蚀刻处理等。专利文献1 日本特开2005-100931号公报。对被处理基板进行等离子体处理时，从等离子体处理的效率化等观点出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：　　处理容器，在其内部对被处理基板进行等离子体处理；　　保持台，其被配置在所述处理容器内，并且将所述被处理基板保持在其上；　　微波发生器，其产生用于激发等离子体的微波；　　电介质板，其被设置在与所述保持台对置的位置，用于将微波导入所述处理容器内；　　反应气体供应部，其向被保持在所述保持台的所述被处理基板的中央区域供应等离子体处理用的反应气体，　　所述反应气体供应部包括喷射器基座，该喷射器基座被配置在比与所述保持台对置的所述电介质板的壁面向所述电介质板的内侧后缩的位置，　　在所述喷射器基座上设置有将所述等离子体处理用的反应气体向所述处理容器内供应的供应孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP2008-1788632008年7月9日1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备处理容器，在其内部对被处理基板进行等离子体处理； 保持台，其被配置在所述处理容器内，并且将所述被处理基板保持在其上； 微波发生器，其产生用于激发等离子体的微波；电介质板，其被设置在与所述保持台对置的位置，用于将微波导入所述处理容器内； 反应气体供应部，其向被保持在所述保持台的所述被处理基板的中央区域供应等离子 体处理用的反应气体，所述反应气体供应部包括喷射器基座，该喷射器基座被配置在比与所述保持台对置的 所述电介质板的壁面向所述电介质板的内侧后缩的位置，在所述喷射器基座上设置有将所述等离子体处理用的反应气体向所述处理容器内供 应的供应孔。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述喷射器基座中，所述供应孔被设置在与所述保持台对置的壁面上。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于， 与所述保持台对置的壁面是平坦的。4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述喷射器基座包含突出部，所述突出部在未到达与所述保持台对置的所述电介质板 的壁面的范围内，从与所述保持台对置的壁面向所述保持台侧延伸。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于， 在所述突出部的前端部设置有所述供应孔。6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本直树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP