载置台构造制造技术

本发明专利技术提供一种载置台构造。为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在半导体晶圆等被处理体上形成薄膜的成膜装置所采用的载置 台构造。
技术介绍
通常，在制造半导体集成电路时，对半导体晶圆等被处理体反复进行成膜处理、蚀 刻处理、热处理、改性处理、结晶化处理等各种热处理，形成期望的集成电路。例如，以对半 导体晶圆逐枚地实施成膜的单片式成膜装置为例，在能够抽成真空的处理容器内设置例如 内置有电阻加热器的载置台，在该载置台的上表面载置有半导体晶圆，在该状态下向处理 空间中流入成膜气体，在规定的工艺条件下在晶圆表面形成薄膜。上述薄膜是通过原料气体被热分解等例如利用CVD (Chemical Vapor Deposition)法来成膜的(例如参照日本特开2001-023966号公报或者日本特开 2003-007694 号公报)。但是，不言而喻，在进行上述薄膜的成膜处理的情况下，所要形成的薄膜是形成在 半导体晶圆的上表面上的。但是，处理空间内的成膜气体倾向于从晶圆的周边部经由侧面 蔓延到晶圆的背面侧和载置台之间的微小的间隙部分中，因此，存在从晶圆的周侧部到整 个侧面、即晶圆的斜面部及特别是晶圆的周边部的背面侧也一定程度地形成有薄膜这样的 倾向。本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种载置台构造，为了使用产生具有可逆性的热分解反应的原料气体在处理容器内在被处理体上形成薄膜，该载置台构造设置在上述处理容器内来载置上述被处理体，其特征在于，包括：载置台，其用于在作为其上表面的载置面载置上述被处理体；分解抑制气体供给部件，其设置在上述载置台内，用于朝向载置于上述载置台的载置面上的上述被处理体的周边部供给用于抑制上述原料气体的热分解的分解抑制气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：五味淳，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP