衬底清洗方法技术

本发明专利技术提供一种衬底清洗方法，将形成有微细图案的衬底以不会对其细微图案带来不良影响的方式在短时间内进行清洗。关于形成有具有代表长度为0.1μm以下的槽或者孔的微细图案的晶圆(W)，以在含有水分的空间内隔着配置在规定位置上的对置电极(46)并隔着固定间隔与具有锐角状的前端部的冷却自由的放电电极(45)的前端部相对置的方式，配置晶圆(W)，使放电电极(45)进行冷却使放电电极(45)产生结露，并且在放电电极(45)与对置电极(46)之间施加固定电压。在施加该固定电压时，在放电电极(45)的前端部产生含有直径10nm以下的水微粒子的气溶胶，通过将气溶胶喷射到晶圆(W)来清洗晶圆(W)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对形成有微细图案的衬底进行清洗的清洗方法。
技术介绍
例如在半导体设备的制造工艺中，在对半导体衬底进行蚀刻处理、成膜处理等处理之后，进行清洗处理来去除半导体衬底上的异物、副生成物、无用膜(以下称为“异物等”)。作为该清洗处理，通常使用进行以下处理的方法冲洗处理，将半导体衬底浸入到清洗液或者一边旋转半导体衬底一边喷射清洗液，之后，去除清洗液；以及干燥处理，去除冲洗液。但是，近年来，在使用清洗液(液体)对形成微细化(细线化)的抗蚀剂图案、蚀刻图案的半导体衬底实施清洗时，由于清洗液、冲洗液的表面张力而引起，当清洗液、冲洗液从半导体衬底被去除时产生所谓图案倾斜。为了解决这种问题，例如提出了一种气溶胶清洗方法，即为了不会对形成于衬底上的微细图案带来损伤且提高清洗力度，在将气溶胶喷射到被清洗物来进行清洗的气溶胶清洗方法中，使气溶胶以规定速度以上的速度冲击被清洗物，由此在被清洗物表面上局部地生成超临界状态或者伪超临界状态，从而提高清洗力度(例如参照专利文献1)。另外，提出了以下方法在将气溶胶从喷嘴喷出到真空清洗室的气溶胶清洗中，使生成气溶胶的喷嘴绝热化，将喷嘴内的压力设定为较本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种衬底清洗方法，用于对形成有微细图案的衬底进行清洗，该微细图案具有代表长度为０．１μｍ以下的槽或者孔，该衬底清洗方法的特征在于，具有以下步骤：衬底配置步骤，以如下方式将上述衬底配置在含有水分的空间内：上述衬底与放电电极的前端部隔着固定间隔地相对置，且上述衬底与放电电极的前端部之间隔着配置于规定位置的对置电极，该放电电极能够自由地被冷却且具有锐角状的上述前端部；以及清洗步骤，冷却上述放电电极来使上述放电电极上产生结露，并且在上述放电电极与上述对置电极之间施加固定电压，其中，在上述清洗步骤中，在上述放电电极的上述前端部产生含有直径１０ｎｍ以下的水微粒子的气溶胶，通过将上述气溶胶喷射到上述衬底...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：守屋刚，横山新，奥山喜久夫，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP