等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

等离子体处理装置（１１）具备向处理容器（１２）内供给等离子体处理用的反应气体的反应气体供给部（１３）。反应气体供给部（１３）包括：第一反应气体供给部（６１），其被设于电介质板（１６）的中央部，朝向保持于保持台（１４）上的被处理基板（Ｗ）的中央区域向正下方方向供给反应气体；第二反应气体供给部（６２），其被设在保持台（１４）的正上方区域，并位于避开保持于保持台（１４）上的被处理基板（Ｗ）的正上方区域的位置，朝向保持于保持台（１４）上的被处理基板（Ｗ）的中心侧沿倾斜方向供给反应气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，特别是涉及以微波作为等离子体源来产生等离子体的。
技术介绍
LSI (Large Scale Integrated circuit)等半导体装置是通过对作为被处理基板的半导体基板(晶片)实施蚀刻或CVD (Chemical Vapor D印osition)、溅射等多种处理而制造的。对于蚀刻或CVD、溅射等处理，有使用等离子体作为其能量供给源的处理方法，即等离子体蚀刻或等离子体CVD、等离子体溅射等。作为等离子体的种类，有平行平板型等离子体、ICP (Inductively-Coupled Plasma)、ECR(Electron Cyclotron Resonance)等离子体等，将以各种装置产生的等离子体用于处理中。在对被处理基板实施如上所述的等离子体蚀刻处理等时，需要向生成等离子体的处理容器内供给用于处理被处理基板的反应气体。这里，在被处理基板的处理中，在日本特开2004-165374号公报(专利文献1)以及日本特开平6-112163号公报(专利文献2)中公开有向处理容器内供给反应气体的技术。根据专利文献1，在借助ECR等离子体的等离子体处理装置中，在载置被处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种等离子体处理装置，其具备：处理容器，在该处理容器内部对被处理基板进行等离子体处理；保持台，其被配置于所述处理容器内，在该保持台上保持所述被处理基板；等离子体产生机构，其在所述处理容器内产生等离子体；及反应气体供给部，其向所述处理容器内供给等离子体处理用的反应气体，所述反应气体供给部包括：第一反应气体供给部，其朝向被保持于所述保持台上的所述被处理基板的中央区域且向正下方方向供给反应气体；和第二反应气体供给部，其被设在所述保持台的正上方区域，且位于避开被保持于所述保持台上的所述被处理基板的正上方区域的位置，朝向被保持于所述保持台上的所述被处理基板的中心侧供给反应气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈山信幸，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP