载置台结构和处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种用于在处理容器内对被处理体(W)实施热处理而载置被处理体，且对所载置的被处理体进行加热的载置台结构(60)。在用于对载置台主体(62)的最外周的加热区域(96)进行加热的最外周电阻加热器(100)的周方向的不同的多个位置，连接有最外周供电线(L1～L4)，由此将最外周电阻加热器(100)划分为多个加热器区域(100A～100D)。加热器控制部(92)能够单独地控制各最外周供电线的电状态(例如，电压施加状态、零电位状态、浮置状态)。能够通过简单的结构使每个加热器分区的电力供给状态变化。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对半导体晶片等被处理体施行等离子体处理或成膜处理等热处理的处理装置和该处理装置所用的载置台结构。
技术介绍
一般而言，为了制造IC(集成电路)等半导体装置，或使用等离子体或不使用等离子体地对半导体晶片等被处理体反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改质处理等各种处理，来制造目标电路装置等。如果以对半导体晶片每一片实施热处理的单片式的处理装置为例，在能够被抽成真空的处理容器内设置内置有电阻加热器的载置台结构，在将半导体晶片载置于该载置台结构的上表面的状态下使规定的处理气体流动，或使用等离子体或不使用等离子体地在规定的工艺条件下，对晶片实施各种热处理。(参照日本特开昭63-278322号公报、日本特开平07-078766号公报、日本特开平06-260430号公报、日本特开2004-3566 号公报、日本特开平10-209255号公报等)此时，半导体晶片被暴露在高温下，另外，向处理容器内使用清洗气体(cleaning gas)和蚀刻气体(etching gas)等腐蚀性气体等。为此，在载置半导体晶片的载置台结构中，有使用以AlN(氮化铝)为代表的陶瓷的倾向。在载置台结构内本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种载置台结构，其用于载置被处理体以在处理容器内对所述被处理体实施热处理，该载置台结构的特征在于，包括：载置台主体，其在上表面载置所述被处理体，并且以同心状被划分为多个加热区域；多个电阻加热器，其设置在所述载置台主体内，各加热器与所述加热区域的各个对应地设置；多个供电线，其向所述多个电阻加热器供给电力，设置成不同的加热区域的电阻加热器与不同的供电线连接；和加热器控制部，其设置成能够对每个加热区域独立地控制向所述电阻加热器供给的电力，其中所述多个电阻加热器包含作为配置于所述多个加热区域中的最外周的加热区域的电阻加热器的最外周电阻加热器，所述最外周电阻加热器在所述最外周的加热区域的周方向上延伸...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：小松智仁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP