本发明专利技术提供一种用于在处理容器内对被处理体(W)实施热处理而载置被处理体，且对所载置的被处理体进行加热的载置台结构(60)。在用于对载置台主体(62)的最外周的加热区域(96)进行加热的最外周电阻加热器(100)的周方向的不同的多个位置，连接有最外周供电线(L1～L4)，由此将最外周电阻加热器(100)划分为多个加热器区域(100A～100D)。加热器控制部(92)能够单独地控制各最外周供电线的电状态(例如，电压施加状态、零电位状态、浮置状态)。能够通过简单的结构使每个加热器分区的电力供给状态变化。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种对半导体晶片等被处理体施行等离子体处理或成膜处理等热处理的处理装置和该处理装置所用的载置台结构。
技术介绍
一般而言，为了制造IC(集成电路)等半导体装置，或使用等离子体或不使用等离子体地对半导体晶片等被处理体反复进行成膜处理、蚀刻处理、热处理、改质处理等各种处理，来制造目标电路装置等。如果以对半导体晶片每一片实施热处理的单片式的处理装置为例，在能够被抽成真空的处理容器内设置内置有电阻加热器的载置台结构，在将半导体晶片载置于该载置台结构的上表面的状态下使规定的处理气体流动，或使用等离子体或不使用等离子体地在规定的工艺条件下，对晶片实施各种热处理。(参照日本特开昭63-278322号公报、日本特开平07-078766号公报、日本特开平06-260430号公报、日本特开2004-3566 号公报、日本特开平10-209255号公报等)此时，半导体晶片被暴露在高温下，另外，向处理容器内使用清洗气体(cleaning gas)和蚀刻气体(etching gas)等腐蚀性气体等。为此，在载置半导体晶片的载置台结构中，有使用以AlN(氮化铝)为代表的陶瓷的倾向。在载置台结构内设置加热器或静电卡盘 (chuck)电极的情况下，将它们一体地埋入到陶瓷中。在此，对现有处理装置和载置台结构的一个例子进行说明。图9是表示使用现有一般的等离子体的处理装置的概略结构图，图10是表示载置台结构的电阻加热器的俯视图。图9表示了等离子体处理装置作为处理装置的一个例子，在筒状的处理容器2内设置有用于将半导体晶片W载置于上表面的载置台结构4。在处理容器2的顶部，设置有喷头6 作为气体导入机构，从喷头6下表面的气体喷射孔6A喷射需要的气体。在上述喷头6连接有等离子体发生用的例如13. 56MHz的高频电源8，以使上述喷头6作为上部电极发挥作用。另外，在处理容器2的底部设置有排气口 10，能够排出处理容器2内的氛围气。在处理容器2的一侧的侧壁设置有晶体片W搬出搬入时可开闭的闸阀(gate valve) 12，在另一侧的侧壁设置有用于观察容器内的例如由石英玻璃构成的观察窗口 14。载置台结构4包括载置晶片W的载置台主体16，和从容器底部竖立地支承载置台主体16的支柱18。载置台主体16由具有耐热性和耐腐蚀性的AlN等陶瓷构成，在其内部埋入有下部电极和成为静电卡盘的卡盘电极的电极20。在电极20的下方埋入有由电阻加热器M构成的加热机构 22，以对晶片W进行加热。如图10所示，构成加热机构22的电阻加热器M具有分别设置于被同心圆状地分割成的内周区域和外周区域的电阻加热器24A和电阻加热器MB。分别单独地控制各区域的电阻加热器24A、24B，以实现晶片W的面内温度均勻性。在处理容器2的侧壁的各部分，适当地设置有用于安装闸阀12、观察窗14和各种测量器具的安装端口(未图示)等，这样的部分与其它侧壁部分热的条件不同。例如，由于闸阀12的安装部分会因为晶片W的搬入搬出而反复开闭，所以闸阀12有温度降低的倾向。 设置有观察窗14的部分，由于作为该观察窗14的构成材料的石英玻璃与作为容器侧壁的构成材料的金属例如铝合金相比比热不同，所以存在与周围的温度不同的情况。在这样的状况下，晶片W的周边部容易受到从温度不同的闸阀12的安装部分或观察窗14的安装部分等局部性的热的不良影响。但是，如上所述，控制晶片W的周边部的温度的外周区域的电阻加热器24B只能控制整体的温度。因此，在晶体片的周边部受到热的影响的情况下，不能有效地与之对应，因此存在晶片温度的面内均勻性降低的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种能够通过简单的结构控制被处理体的周边部的温度分布的载置台结构和处理装置。本专利技术提供一种载置台结构，其用于载置被处理体以在处理容器内对上述被处理体实施热处理，该载置台结构的特征在于，包括载置台主体，其在上表面载置上述被处理体，并且以同心状被划分为多个加热区域；多个电阻加热器，其设置在上述载置台主体内， 各加热器与上述加热区域的各个对应地设置；多个供电线，其向上述多个电阻加热器供给电力，设置成不同的加热区域的电阻加热器与不同的供电线连接；和加热器控制部，其设置成能够对每个加热区域独立地控制向上述电阻加热器供给的电力，其中上述多个电阻加热器包含作为配置于上述多个加热区域中的最外周的加热区域的电阻加热器的最外周电阻加热器，上述最外周电阻加热器在上述最外周的加热区域的周方向上延伸，上述多个供电线包含用于向上述最外周电阻加热器供给电力的多个最外周供电线，上述最外周供电线分别与上述最外周电阻加热器的周方向的不同的多个位置连接，由此将上述最外周电阻加热器划分为以上述多个位置为边界的多个加热器分区，上述加热器控制部能够单独地控制上述各最外周供电线的电状态。优选上述最外周电阻加热器是遍及上述最外周加热区域的整周而连续地延伸的环形加热器。优选上述加热器控制部具有相对于上述最外周电阻加热器的多个不同的电力供给方式，上述电力供给方式是上述各最外周供电线的电状态的组合，上述加热器控制部通过分时控制切换上述多个电力供给方式。上述最外周电阻加热器能够被划分为偶数个加热器分区。上述加热器控制部能够具有使电流流过上述最外周电阻加热器的所有的加热器分区的电力供给方式。上述加热器控制部能够具有使电流流过所选择的两个相对的加热器分区的电力供给方式。上述加热器控制部能够具有使电流流过所选择的两个相邻的加热器分区的电力供给方式。上述最外周电阻加热器能够被划分为奇数个加热器分区。上述加热器控制部能够具有使电流流过所选择的两个相邻的加热器分区的电力供给方式。另外，上述加热器控制部能够具有使上述最外周供电线内的所选择的供电线为浮置状态的电力供给方式。上述最外周电阻加热器能够被划分为三个以上的加热器分区。上述载置台主体由陶瓷材料或石英构成。进而，本专利技术提供一种处理装置，其用于对被处理体实施热处理，该处理装置的特征在于，包括能够进行排气的处理容器；为了载置被处理体而设置在上述处理容器内的权利要求1上述的载置台结构；和向上述处理容器内导入气体的气体导入机构。附图说明图1是表示具有本专利技术的载置台结构的处理装置的结构图。 图2是表示处理容器内的概略截面图。图3是表示加热机构的电阻加热器的配置的俯视图。图4是表示将最外周区域划分为四个分区时的最外周供电线的状态与电力供给方式的关系的图。图5是表示将特定的加热器分区的部分控制在高温或低温时的电力供给方式的流程的一个例子。图6是表示还包括将最外周供电线设定为浮置(floating)状态时的电力供给方式的一个例子的图。图7是表示将最外周区域的电阻加热器划分为三个分区时的状态的示意图。图8是表示将最外周区域划分为三个分区时的最外周供电线的状态与电力供给方式的关系的图。图9是表示使用现有的一般的等离子体的处理装置的概略结构图。图10是表示载置台结构的电阻加热器的俯视图。具体实施例方式下面，基于附图对本专利技术的载置台结构和处理装置的一个实施方式进行详细叙述。图1是表示具有本专利技术的载置台结构的处理装置的结构图，图2是表示处理容器内的概略截面图，图3是表示加热机构的电阻加热器的配置的俯视图。在此，作为本专利技术的处理装置，以平行平板型的等离子体处理装置为例进行说明。 如图ι所示，本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种载置台结构，其用于载置被处理体以在处理容器内对所述被处理体实施热处理，该载置台结构的特征在于，包括：载置台主体，其在上表面载置所述被处理体，并且以同心状被划分为多个加热区域；多个电阻加热器，其设置在所述载置台主体内，各加热器与所述加热区域的各个对应地设置；多个供电线，其向所述多个电阻加热器供给电力，设置成不同的加热区域的电阻加热器与不同的供电线连接；和加热器控制部，其设置成能够对每个加热区域独立地控制向所述电阻加热器供给的电力，其中所述多个电阻加热器包含作为配置于所述多个加热区域中的最外周的加热区域的电阻加热器的最外周电阻加热器，所述最外周电阻加热器在所述最外周的加热区域的周方向上延伸，所述多个供电线包含用于向所述最外周电阻加热器供给电力的多个最外周供电线，所述最外周供电线分别与所述最外周电阻加热器的周方向的不同的多个位置连接，由此将所述最外周电阻加热器划分为以所述多个位置为边界的多个加热器分区，所述加热器控制部能够单独地控制所述各最外周供电线的电状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：小松智仁，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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