层叠有宽带隙半导体的复合基板的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种制造低成本结合晶片（８）的方法，该方法能使宽带隙半导体（１）的块状晶体尽量薄地转印到处理基板（３）上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板（３）的表面上形成宽带隙半导体薄膜层（４）来制造结合晶片（８），该方法包括以下步骤：从具有２．８ｅＶ以上的带隙的宽带隙半导体（１）的表面（５）注入离子来形成离子注入层（２）；对所述处理基板（３）的所述表面或所述宽带隙半导体（１）的所述离子注入表面（５）中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体（１）的所述表面（５）和所述处理基板（３）的所述表面来获得结合体（６）；对所述结合体（６）进行１５０℃－４００℃的热处理；以及从所述结合体（６）的所述半导体基板（１）侧向所述宽带隙半导体（１）的所述离子注入层（２）照射可见光，以使所述离子注入层（２）的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体薄膜层（４）转印到所述处理基板（３）上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括宽带隙半导体层的复合基板的制造方法。
技术介绍
近年来，宽带隙半导体作为用于功率半导体和短波长激光器的基板已受到重视。特别是，碳化硅SiC(2. 9eV 3. OeV)、氮化镓GaN(3. 4eV)、氧化锌ZnO(3. 37eV)、钻石 (5. 47eV)和氮化铝AlN(6. OeV)等材料尤其受到重视，这是因为它们具有高的带隙。然而，虽然通过异质外延生长在单晶蓝宝石或单晶SiC上沉积GaN(作为示例)，但沉积的GaN由于晶格常数差异的原因而具有大量的缺陷，从而如今难以将GaN应用到功率半导体、高性能激光器等中。在这些单晶体的生产方法中，最佳质量的晶体的生产方法是诸如水热合成方法 (hydrothermal synthesis method)之类的晶体生长方法，众所周知，从由该方法生产的块状晶体切出的片(晶片)具有最佳质量。然而，晶体生长需要时间，因此晶体价格极高，如今仍未广范围应用。但是，实际用作器件的部分仅限于从表层(surficial layer)开始的数百纳米至数个微米的范围，所以可以说，将块状晶体薄薄地转印到处理基板的方法来降低成本是一种自然的想法本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种通过在处理基板的表面上形成宽带隙半导体膜来制造结合晶片的方法，所述方法包括以下步骤：从具有２．８ｅＶ以上的带隙的宽带隙半导体基板的表面注入离子来形成离子注入层；对所述处理基板的所述表面和所述宽带隙半导体基板的所述离子注入表面中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体基板的所述表面和所述处理基板的所述表面来获得结合基板；对所述结合基板进行１５０℃以上且４００℃以下的热处理；以及使用可见光从所述结合基板的所述宽带隙半导体基板侧对所述宽带隙半导体基板的所述离子注入层进行照射，以使所述离子注入层的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体膜转印到所述处理基板上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋山昌次，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP