具有晶片通孔结构的ESD网络电路以及制造方法技术

本发明专利技术一般涉及电路结构以及制造电路的方法，尤其涉及具有晶片通孔结构的静电放电(ESD)电路以及制造方法。ESD结构包或ESD有源器件以及至少一个晶片通孔结构，所述至少一个晶片通孔结构为所述ESD有源器件提供到衬底的低串联电阻路径。一种装置包括输入、至少一个供电轨以及被电连接在所述输入与所述至少一个供电轨之间的ESD电路，其中所述ESD电路包括至少一个晶片通孔结构，其提供到衬底的低串联电阻路径。一种方法，包括：在衬底上形成ESD有源器件；在所述衬底的背面上形成地平面；以及形成至少一个晶片通孔，其被电连接到所述ESD有源器件的负电源输入和所述地平面，以提供至所述衬底的低串联电阻路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及电路结构以及制造电路的方法，尤其涉及具有晶片通孔结构的静电放电(ESD)电路以及制造方法。
技术介绍
ESD事件就是在大量电流提供给集成电路(IC)时，短期间内电流的放电(正或负)的现象。大电流由各种源所产生，例如，人体。ESD事件通常由高电压电势放电所产生 (通常有好几千伏特)，导致短时间内(通常为100纳秒)的高电流(数安培)脉冲。例示地通过人接触IC的引线或带电机械在IC的其它引线内放电，会在IC内产生ESD事件。在集成电路被安装至产品期间，这些静电放电可摧毁IC，由此需要昂贵的产品维修，通过提供消除IC可能遭遇的静电放电的机构就可避免这种情况。IC的制造商与使用者必须采取预防措施来避免ESD。例如ESD防护可为器件本身的一部分，并且可包含针对器件输入与输出接脚的特殊设计技术。此外，也可利用电路版图使用外部防护部件。例如为了保护IC免于ESD事件，已经针对ESD结构实施许多方案， 包含例如使用可控硅整流器(SCR)。SCR可承受高电流，保持跨SCR的电压处于低水平并且被实施为旁路与ESD事件有关的高电流放电。ESD器件也可用来避免闩锁并且提供噪声隔离，尤其是本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种静电放电（ＥＳＤ）结构，该结构包括：ＥＳＤ有源器件；以及至少一个晶片通孔结构，其为所述ＥＳＤ有源器件提供到衬底的低串联电阻路径。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·H·沃尔德曼，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US