ＳＯＩ晶片的制造方法技术

本发明专利技术是对埋入式氧化膜上形成有ＳＯＩ层的ＳＯＩ晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的ＳＯＩ晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理的ＳＯＩ晶片材料的ＳＯＩ层厚度，对将结合晶片薄膜化而获得的ＳＯＩ晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，使ＳＯＩ层的厚度成为算出的厚度。由此，提供ＳＯＩ晶片的方法，将因进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理时的热处理温度等的不均匀性而产生的埋入式氧化膜面内分布恶化控制在规定的范围内，制造埋入式氧化膜的膜厚均匀性好的ＳＯＩ晶片。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种制造具有在绝缘体上形成有单晶硅层的绝缘层上覆硅 (Silicon-On-Insulator =SOI)结构的 SOI 晶片的方法。
技术介绍
随着元件一代代地发展，为了满足趋向于高性能化这一目标，仅靠现有的利用块硅晶片而实现的尺度效应(Scaling Effect)已无法应对，必须要采用新的元件结构，作为所述元件结构的原材料，SOI晶片正引人关注。而且，由于使用了 SOI晶片的元件的种类扩展，所以与SOI层的厚度一样，对埋入式氧化膜的厚度也要求广阔的范围。作为该SOI晶片的代表性的制造方法，具有在将氧离子高浓度地注入至硅晶片中后于高温下进行热处理从而在晶片内形成氧化膜的称为SIMOX法(注氧隔离法 Separation by Implantation Oxygen)或贴合法等方法。贴合法，是在形成SOI层的结合晶片与作为支持基板的基体晶片中的至少一方上形成氧化膜，并经由该氧化膜将结合晶片与基体晶片贴合后将结合晶片薄膜化，由此制造出在作为绝缘体的埋入式氧化膜上形成有 SOI层的SOI晶片的方法。在采用了该贴合法的SOI晶片的制造方法中，在较薄SOI层的制作中，从可在本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＳＯＩ晶片的制造方法，对下述ＳＯＩ晶片材料，即，通过在结合晶片与基体晶片的至少一方的表面形成氧化膜，并经由所述形成的氧化膜将所述结合晶片与基体晶片贴合，然后将结合晶片薄膜化而获得的埋入式氧化膜上形成有ＳＯＩ层的ＳＯＩ晶片材料，进行减少所述埋入式氧化膜厚度的热处理，由此制造具有规定的埋入式氧化膜厚的ＳＯＩ晶片，其特征在于，根据通过所述热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因所述热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，计算出进行减少所述埋入式氧化膜厚度的热处理的ＳＯＩ晶片材料的ＳＯＩ层厚度，并对将所述结合晶片进行薄膜化而获得的ＳＯＩ晶片材料，进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，以使...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：石塚徹，
申请(专利权)人：信越半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP