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本发明是对埋入式氧化膜上形成有ＳＯＩ层的ＳＯＩ晶片材料进行减少埋入式氧化膜厚度的热处理，来制造具有规定的埋入式氧化膜厚的ＳＯＩ晶片的方法，根据通过热处理而减少的埋入式氧化膜的厚度与因热处理而产生的埋入式氧化膜面内范围变化量的容许值之比，算出...
该专利属于信越半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体股份有限公司授权不得商用。

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