本发明提供基板处理装置及基板处理方法。该基板处理装置通过相对于基板的温度独立地控制聚焦环的温度来控制基板的面内处理特性。该基板处理装置包括：载置台(110)，其包括基座(114)，该基座(114)具有用于载置晶圆(W)的基板载置面(11...

本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够易于对处理的因作为被施加于上部电极的直流电压的地线的直流电压用接地构件的设置状态引起的偏差进行校正，从而能够高效地实施均匀的处理。该等离子体处理装置包括：高频电源，其用于对下部电极施...

本发明提供沟槽填充方法及成膜装置。该沟槽填充方法包括以下工序：在沟槽内部形成氧化阻挡层膜(步骤3)；在氧化阻挡层膜上形成能够膨胀的膜(步骤4)；利用因烧制而会收缩的填充材料填充沟槽(步骤5)；将填充材料烧制(步骤6)；步骤3的工序包括以...

本发明提供一种能提高显影处理后的抗蚀残膜的均匀性并抑制配线图案的线宽和间距的参差不齐的局部曝光方法，其包括：将在被处理基板形成的感光膜分割为多个大区块，并将上述大区块分割为多个小区块的步骤；对上述大区块内的每个小区块，分等级地设定不同的...

本发明提供一种即使是极薄膜状态也能够使物理特性和电特性优异的氮化硅膜成膜的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。其为使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜的氮化硅膜的成膜方法，在使氮化硅膜在被处理体的表面上成膜之前，至少使用氨基硅烷系气体在被处理体的...

本发明提供一种与现有技术相比能够提高处理的面内均一性的等离子体处理装置及其处理气体供给结构。一种使发生感应耦合等离子体进行基板的处理的等离子体处理装置，包括：以覆盖处理腔室的上部开口的方式设置的、具有电介体窗的上盖；在上盖上设置的多个气...

本发明提供一种对装载在基板保持件上的多张基板供给成膜气体并进行成膜处理的立式热处理装置。上述基板保持件绕倾斜轴线旋转，在各晶圆(W)的容纳位置均设有在沿晶圆(W)的周向相互离开的位置分别支承该晶圆W的周缘部的多个主保持部(33a)和第1...

本发明提供原料供给装置及成膜装置。该原料供给装置用于利用气化器使储存部内的液体原料气化并将气化而成的气体供给到半导体制造用的反应容器内，该原料供给装置包括原料供给管、第1原料排出管、清洗流体供给管、第1原料供给阀及第1原料排出阀、清洗流...

本发明提供一种液处理装置及液处理方法。该液处理装置能够有效地清洗基板的下表面。基板清洗装置(10)具有位于被基板保持机构保持的基板(W)的下表面的下方并用于将处理液喷射到基板的下表面的喷嘴(60)。喷嘴具有排列在从与基板的中央部相对的位...

本发明提供液体处理装置及液体处理方法。即使提高基板的转速且以低排气量进行处理杯内的排气，也能够抑制排气气流的逆流，抑制雾沫再次附着于基板。该抗蚀剂涂敷装置在形成有下降气流的处理杯(33)中对旋转的晶圆(W)涂敷抗蚀液，其中，包括：上侧引...

本发明提供一种易于进行装置的组装、维护的液处理装置。用于对基板(W)进行液处理的多个液处理单元(2)彼此横向排列配置，用于将液处理单元(2)内的气氛气体排出的排气管(3)配置为在该多个液处理单元(2)的下侧并沿着由该液处理单元排列而成的...

本发明提供一种易于进行装置的组装、维护的液处理装置。在液处理装置(1)中，液处理单元(2)用于利用处理液对基板(W)进行液处理，供液用配管(561、562)的一端侧与液处理单元连接，另一端侧被引绕到液处理单元的下侧，用于将处理液供给到该...

本发明提供向钨膜或者氧化钨膜上形成氧化硅膜的成膜方法。其包括以下工序：在被处理体上形成钨膜或者氧化钨膜的工序(步骤1)；在钨膜或者氧化钨膜上形成晶种层的工序(步骤2)；在晶种层上形成氧化硅膜的工序(步骤3)，通过加热被处理体并将氨基硅烷...

本发明提供一种即使在碳膜上形成氧化物膜也能够抑制碳膜的膜厚减少的在碳膜上形成氧化物膜的成膜方法。其具备在被处理体上形成碳膜的工序(步骤1)；在碳膜上形成被氧化体层的工序(步骤2)；和一边使被氧化体层氧化、一边在被氧化体层上形成氧化物膜的...

本发明提供一种基板保持件、基板搬送装置以及基板处理系统，即便在具有支撑基板的支撑部件的基板保持件与系统构成部件接触的情况下也能够尽可能地避免支撑部件发生损伤。基板保持件具有基部以及互相隔开间隔连接在所述基部上的多个支撑部件，在所述多个支...

本发明提供一种处理装置，能够不用手工操作进行环状隔壁构件位置的改变或更换和处理气体喷出部自身的更换，改变处理气体的喷出位置。具有与载置台(4)对置设置在处理室(2)内并喷出处理气体的处理气体喷出部(5)；在处理气体喷出部(5)内通过隔壁...

本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层...

本发明提供一种静电吸盘，其能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。在具有上层(42)、下层(43)以及被设于上层(42)与下层(43)之间的静电电极板...

提供一种控制供给显影液时基板搬送速度和去除显影液时基板搬送速度，将抗蚀剂图案均一化的抗蚀剂显影装置。该显影装置具备：具有搬送在表面上具有被曝光后的光致抗蚀剂膜的基板的第一搬送机构及向由该第一搬送机构搬送的基板的表面供给显影液的供给喷嘴的...

本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，其能够独立于电极温度地任意、简便且高效地对以覆盖被处理基板的周围的方式安装于下部电极的聚焦环进行加热。在该等离子体蚀刻装置中，在未向腔室(10)的处理空间供给处理气体时，不产生高频放电，等离...