提供一种局部曝光装置，调整在基板面内较细地设定的每个区域的曝光量，提高显影处理后抗蚀剂残留膜的均匀性，抑制布线图案的线宽以及间距的偏差。具备：具有在基板输送路径上方沿着与基板输送方向相交叉的方向排列的多个发光元件的光源、能够选择性地将构...

本发明涉及一种螺栓的防松装置及其安装方法以及安装夹具。本发明提供一种螺栓的防松装置，其部件的构造简化、且能够容易地进行安装作业。具有：分别以不能相对旋转的方式嵌合在多根螺栓(5)的各头部上的多个嵌合部件(2、3)；横跨多个嵌合部件(2、...

本发明提供一种浮起式涂敷装置，在浮起台加大划分浮起台组块的边界(接缝)的台阶的容许度，能够简便并且短时间进行浮起面的高度位置调整作业。在浮起台(10)中，左端的搬入用浮起台组块(SBA)搭载配置多个仅有喷出口(12)的第一粗略浮起区域(...

本发明提供一种基板浮起搬送方法，使浮起台中的基板的浮起高度和姿势最优化，并改善浮起用高压气体的消耗效率。该抗蚀剂涂敷装置中的浮起台(10)，在搬送方向上将在涂敷区域(MCT)的前后延伸的搬入区域(MIN)和搬出区域(MOUT)的浮起面各...

本发明涉及设置于能够进行排气的处理容器内并用于载置应处理的被处理体的载置台构造。本发明的载置台构造包括：载置台，在板状的载置台主体上支承用于载置所述被处理体的热扩散板，并且在所述载置台主体与所述热扩散板的交界部分设置气体扩散室；设置于所...

配线用断路器（10）具有后方接合面部（13），第一电设备具有前方接合面部（21），在使后方接合面部与前方接合面部抵接的状态下，能够在前后方向连结配线用断路器和第一电设备。配线用断路器具有用来与前述电源侧的配线连接的电方面的初级侧的连接端...

本发明提供一种即时地判断处理部有无异常并防止产生有大量的次品晶片的涂敷显影处理装置，其包括：晶片输送机构；缺陷检查部；控制晶片的输送的输送控制单元(200)；基于缺陷的状态进行该缺陷的分类的缺陷分类单元(203)；存储晶片被处理单元处理...

本发明提供一种热处理装置及其控制方法，在温度稳定时能够均匀地维持温度，在升温和降温时能够容易地控制。控制装置(51)能够利用控制区域的数量多的多控制区域模式(72a)以及控制区域的数量少的少控制区域模式(72b)，控制区域被分别控制。在...

本发明提供不使用调整夹具就能够进行搬送位置调整的基板搬送装置的位置调整方法。本发明提供基板搬送装置的位置调整方法，其包括：第一检测步骤，利用搬送基板的基板搬送部保持基板，检测基板的位置；将由基板搬送部保持的基板向保持并旋转基板的基板旋转...

本发明提供半导体器件的制造方法和计算机存储介质。本发明提供一种半导体器件的制造方法，其蚀刻基板形成台阶状结构，上述基板具有：多层膜，交替叠层有第一介电常数的第一膜和与第一介电常数不同的第二介电常数的第二膜；和位于多层膜的上层作为蚀刻掩模...

本发明是对水的静接触角是85度以上的基板表面进行洗净的方法。包含如下工序：以基板的中心部和旋转中心部一致的方式使基板保持部水平保持基板；使所述基板保持部围绕垂直轴旋转的同时，从洗净喷嘴向基板的中心部喷出洗净液，通过离心力扩展到基板的表面...

本发明提供探针卡的定位机构及检查装置。其能够将探针卡不会相对于检查装置的镶嵌垫环或者头板错位就准确地安装在规定的位置，特别是即使在反复使用探针卡的情况下，也只要仅进行一次探针对准，就能够省略之后的探针对准。本发明的定位机构(19)包括在...

本发明涉及一种微细结构体检测装置以及微细结构体检测方法。测量微细结构体的可动部的衰减特性值的微细结构体检测装置(10)包括：不与所述微细结构体直接接触的压力波产生装置(1)以及脉冲产生装置(2)、不与所述可动部接触并且在可动部开始自由振...

本发明提供气体减压供给装置、具有该气体减压供给装置的气瓶柜、阀箱以及基板处理装置。该气体减压供给装置能够向以低于大气压的处理压力进行处理的腔室供给气体，其包括：压力调整器，其用于对一次压力进行减压并将二次压力调整成比大气压低且比处理压力...

本发明涉及表面波等离子体产生用天线及表面波等离子体处理装置。该表面波等离子体产生用天线用于将从微波输出部通过由外侧导体与内侧导体构成的同轴状的波导传输来的微波放射到腔室内，在腔室内产生表面波等离子体，该表面波等离子体产生用天线呈平面状，...

本发明提供氮化钛膜的形成方法和氮化钛膜的形成装置。在氮化钛膜的形成方法中，首先，利用升温用加热器将收容有半导体晶圆的反应管内加热到200℃～350℃。接着，向反应管内供给含有钛原料的成膜用气体而在半导体晶圆上形成氮化钛膜。该钛原料采用不...

本发明提供一种微波照射装置，能够对被处理体照射微波，同时与此分别独立地进行被处理体的温度控制。在对被处理体(W)照射微波来进行处理的微波照射装置(2)中，具备：可以进行真空排气的处理容器(4)；支承被处理体的支承台(6)；导入处理气体的...

提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之...

本发明提供一种显影处理方法和显影处理装置，其在使用含有有机溶剂的显影液的显影处理中，能够使处理时间缩短并能够使处理能力提高。在对在表面涂布有抗蚀剂并对抗蚀剂进行曝光后的基板供给含有有机溶剂的显影液来进行显影的显影处理方法中，具有：使基板...

本发明提供一种碳纳米管的形成方法，其以极低的温度形成在被处理体上以近似垂直的状态取向的高密度的碳纳米管。碳纳米管的形成方法具备以下工序：在温度T1下使氧等离子体作用于催化剂金属层，形成表面被氧化的催化剂金属微粒的工序(STEP1)；在比...