等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明专利技术是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之后，在蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序，在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻工序包括多次反复交替地进行第一蚀刻工序和第二蚀刻工序的工序，第一蚀刻工序使处理气体为C4F6气体、Ar气体和O2气体的混合气体，第二蚀刻工序使处理气体为C4F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体，或者为C3F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
一直以来，在半导体装置的制造 工序中，使用使等离子体作用于配置于处理腔室内的基板(例如半导体晶片)进行蚀刻的等离子体蚀刻方法。例如，在半导体装置的制造工序中，在二氧化硅膜形成接触孔的等情况中，使用该等离子体蚀刻方法。此外，在接触孔中，被要求高纵横比的接触孔(HARC(High Aspect Ratio Contact),将侧壁形状维持于垂直并形成这样的接触孔是比较困难的。在这样的等离子体蚀刻方法中，已知有反复交替执行使具有高堆积性的气体条件的等离子体作用形成保护膜的期间和使具有低堆积行的气体条件的等离子体作用进行蚀刻的期间，边将侧壁形状维持于垂直边形成这样的接触孔的技术(例如，参照专利文献I)。现有技术文献专利文献I :日本特表2006-523030号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的问题如上所述，在在半导体装置的制造工序中，要求高纵横比的接触孔，通过等离子体蚀刻，将侧壁形状维持为垂直，并形成高纵横比的接触孔比较困难。另外，本专利技术者等进行了详细调查，了解到当形成上述那样的高纵横比的接触孔时，发生以下那样的问题。即，当在能够蚀刻高纵横比的接触孔的主蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.28 JP 2011-042501;2012.02.27 JP 2012-039971.一种等离子体蚀刻方法，在处理腔室内收纳被处理基板，使导入到所述处理腔室内的处理气体产生等离子体，通过该等离子体，隔着掩膜层在形成于所述被处理基板的蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔，该离子体蚀刻方法的特征在于，其包括 对所述氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻エ序；和 在所述主蚀刻エ序之后，在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻エ序， 在所述蚀刻停止层至少一部分露出的状态下进行的蚀刻エ序包括多次反复交替地进 行第一蚀刻エ序和第二蚀刻エ序的エ序，所述第一蚀刻エ序使所述处理气体为C4F6气体、Ar气体和O2气体的混合气体，所述第二蚀刻エ序使所述处理气体为C4F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体，或者为C3F8气体、Ar气体和O2气体的混合气体。2.如权利要求I所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于 将所述第一蚀刻エ序和所述第二蚀刻エ序进行一次的时间在3秒至15秒的范围内。3.如权利要求I或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于 所述蚀刻停止层由氮化硅形成。4.如权利要求I或2所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川显，大塚雄二，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：