【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包含半导体芯片的半导体装置和该半导体装置的制造方法。
技术介绍
近年来，在诸如便携式装置的电子设备的尺寸减小、薄型化和高密度化方面已经取得了快速发展。此外，由于半导体装置的加速和功能化升级，导致端子的数目增加。因此，对装配有半导体芯片的封装的薄型化、小型化和高密度化存在需求。通常，诸如积层基板的包括穿通孔的基板已经称为布线基板。然而，由于基板厚并且其穿通孔节距大，因此难以将基板薄型化、小型化和高密度化。另外，穿通孔的存在使得基板不适合高速信号传输。虽然一致地使用诸如带式基板的薄基板，但是由于基板的制造方法，导致基板限于单个或者两个互连层。另外，带的基材显著地膨胀和收缩，并且因此，图案的位置精度比积层基板的位置精度差。因而，难以使带式基板密度增加。当安装半导体芯片时，使用利用焊料球的倒装芯片互连、利用金线的引线接合互连等。然而，在这些互连方法的任一情况下，都难以将节距变窄。在倒装芯片互连中，半导体芯片和布线基板通过使用极小的焊料球等形成的凸块来互连。然而，随着半导体芯片的端子数目增加或者其节距变窄，越来越难以实现基于凸块的互连。另外，由于凸块本身的强度减小，所以连接点容易断开。此外，在连接部分处，电阻值增大。因此，由于根据电流方向导致金属原子的迁移而趋于出现空隙，并且因此可能发生连接故障。在引线接合互连中，以金线为代表的引线如果为了使节距变窄而减小其直径则变得易于断裂。另外，连接条件的余量减小，因而使得难以实现稳定的互连。作为上述倒装芯片互连的示例，专利文献I (日本专利特开No. 2001-185653)公开了一种半导体装置，在该半导...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2006.11.06 JP 2006-3006811.一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括 金属框架，包括贯通的开口 ； 半导体芯片，提供在所述开口内； 绝缘层，提供在所述金属框架的上表面上，使得绝缘层覆盖所述半导体芯片的上表面，该上表面是所述半导体芯片的电路形成表面； 互连层，在插入所述绝缘层的绝缘材料的情况下，只提供在所述金属框架的上表面侧，所述互连层电连接到所述半导体芯片的电路； 通孔导体，提供在所述半导体芯片的上表面上，以将所述半导体芯片的所述电路与所述互连层彼此电连接； 树脂层，提供在所述金属框架的下表面上；以及 金属图案，所述金属图案由填充贯通所述树脂层的开口的金属制成，所述金属图案至少提供在所述半导体芯片的下表面的正下方的区域中， 所述方法包括 在金属基材的一个表面上形成金属图案； 形成覆盖所述金属图案的树脂层； 通过从所述金属基材的另一表面侧在所述金属基材中形成开口，使得所述金属图案被保留来得到金属框架； 在所述半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在所述开口内； 形成覆盖所述金属框架和所述半导体芯片的绝缘层； 形成连接到所述半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体； 形成电连接到所述通孔导体的互连层；以及 去除所述树脂层，使得所述金属图案被暴露。2.一种用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括 金属框架，包括贯通的开口 ； 半导体芯片，提供在所述开口内； 绝缘层，提供在所述金属框架的上表面上，使得绝缘层覆盖所述半导体芯片的上表面，该上表面是所述半导体芯片的电路形成表面； 互连层，在插入所述绝缘层的绝缘材料的情况下，只提供在所述金属框架的上表面侧，所述互连层电连接到所述半导体芯片的电路； 通孔导体，提供在所述半导体芯片的上表面上，以将所述半导体芯片的所述电路与所述互连层彼此电连接； 树脂层，提供在所述金属框架的下表面上；以及 金属图案，所述金属图案由填充贯通所述树脂层的开口的金属制成，所述金属图案至少提供在所述半导体芯片的下表面的正下方的区域中， 所述方法包括 在支撑基板上形成金属图案； 在插入树脂层的情况下，将支撑基板和金属基材彼此接合； 通过在所述金属基材中形成开口，使得所述树脂层被暴露来得到金属框架；在所述半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在所述开口内； 形成绝缘层，以便覆盖所述金属框架和所述半导体芯片； 形成连接到所述半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体； 形成电连接到所述通孔导体的互连层；以及 将所述树脂层和所述支撑基板彼此分离。3.根据权利要求2所述的用于制造半导体装置的方法，其中 在形成金属图案之后形成树脂层；以及 在将支撑基板和金属基材接合之前，...
【专利技术属性】
技术研发人员：菊池克，山道新太郎，村井秀哉，前田胜美，船矢琢央，森健太郎，前田武彦，川野连也，萱岛祐治，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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