降低介质电容的方法技术

一种降低介质电容的方法，属于半导体制造技术领域，在表面覆盖有硼磷硅玻璃BPSG的层间介质层上刻蚀形成通孔后，高温回流使硼磷硅玻璃BPSG层闭合，从而在BPSG下方形成位于层间介质层中的空气隙。本发明专利技术利用高B浓度BPSG的回流特性和膜流动性，采用常规半导体工艺在集成电路结构的层间介质层中引入亚微米尺寸的空气隙，得到低介电常数的层间介质，从而进一步降低金属层之间的层间介质电容以及层间介质层中相邻金属连线之间的层内介质电容，减小电容对半导体器件性能的影响。此外，本发明专利技术提供的降低介质电容的方法制备简单，不增加额外的工艺步骤，具有较低的工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路中半导体器件的制备方法，具体 涉及降低器件中各金属特征之间介质层中电容的方法，属于半导体制造

技术介绍
集成电路领域所涉及的半导体器件典型的包括器件顶部表面上设置的若干金属层，这些金属层沿垂直方向被介质材料的绝缘层(层间介质层)彼此隔开。为了在各器件之间提供互连，通常需要多个金属布线层和绝缘层间介质层的结构。金属层和层间介质层的结构一般使用镶嵌工艺实现，其中，刻蚀在层间介质层中形成通孔，随后沉积金属覆盖其表面并进行抛光，再在金属层表面覆盖又一层间介质层，从而在刻蚀通孔中形成金属插塞，实现相邻金属层之间的互连。随着半导体器件尺寸的不断缩小，器件性能越来越受到层间介质电容的限制。例如，层间介质的电容影响到器件的速度(由金属层和绝缘层间介质层中的RC延迟造成)、器件的AC功耗以及串扰。层间介质的电容根据材料的介电常数而变化，在传统的半导体加工技术中，采用二氧化硅(介电常数约为3. 85)，为降低电容对半导体器件性能的影响，目前已开始采用介电常数相对较低的绝缘材料，如氟化二氧化硅、非晶碳、墨玉以及聚合物材料坐寸。与此同时，在美国专利US6413852B1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宪周，张怡，克里丝，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：