【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，尤其涉及后端线程的一种。
技术介绍
半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进。随着半导体技术的不断进步，器件的功能不断强大，但是半导体制造难度也与日俱增。而光刻技术是半导体制造工艺中最为关键的生产技术，随着半导体工艺节点进入到更低的节点，现有的193nm的ArF光源光刻技术已经无法满足半导体制造的需要，超紫外光光刻技术(EUV)、多波束无掩膜技术和纳米压印技术成为下一代光刻候选技术的研究热点。但是上述的下一代光刻候 选技术仍然存在有不便与缺陷，亟待加以进一步的改进。当摩尔定律继续向前延伸的脚步不可逆转的时候，由于压印技术的工艺简单，因此采用压印技术无疑成为了业界的最佳选择。现有技术的后端线程中形成线槽和通孔的方法要么是先形成沟槽再形成通孔，要么是先形成通孔再形成线槽。图I 图4为现有技术的后端线程中形成线槽和通孔的具体方法请参考图1，提供基底101，所述基底101表面依次形成有第一层间介质层103、第二层间介质层105、硬掩膜层107 ；请参考图2，在硬掩膜层107表面形成图形化的第一光刻胶层109 ；请参考图3，以图...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，包括 分别提供基底和压印模具，所述基底包括绝缘层和覆盖所述绝缘层的硬掩膜层，所述压印模具至少具有第一凸台和第二凸台，且第一凸台和第二凸台具有不同的高度； 使用所述压印模具对所述基底进行压印，使压印后的基底内具有与第一凸台相对应的第一开口，及与第二凸台相对应第二开口 ； 沿第一开口在基底内形成第一沟槽，沿第二开口在基底内形成第二沟槽，且第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度。2.如权利要求I所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述使用压印模具对所述硬掩膜层进行压印包括对所述硬掩膜层进行软化；使用所述压印模具对所述硬掩膜层进行冲压；对所述硬掩膜层进行冻结；移除所述压印模具。3.如权利要求I所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述压印模具的材料为至少两种金属的合金、或金刚石。4.如权利要求I所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度小于或等于硬掩膜层的厚度。5.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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