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提供能够形成高纵横比的接触孔并能够抑制涂层蚀刻工序中的最小间隔的急剧减少的等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法。本发明是在形成于蚀刻停止层上的氧化硅膜上形成孔的等离子体蚀刻方法，其包括：对氧化硅膜进行蚀刻的主蚀刻工序；和在主蚀刻工序之后，...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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