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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
碳纳米管的形成方法和碳纳米管成膜装置制造方法及图纸
准备在表面具有一个或多个开口部、在该开口部底面形成有催化剂金属层的被处理体(步骤1)。对催化剂金属层实施氧等离子体处理(步骤2),再对催化剂金属层实施氢等离子体处理,将催化剂金属层的表面活化(步骤3)。然后,根据需要进行吹扫处理(步骤4...
探针装置制造方法及图纸
本发明提供一种能够以晶片级可靠地测定功率器件的静态特性和动态特性(开关特性)的探针装置。本发明的探针装置(10),包括:载置形成有多个包括二极管的功率器件的半导体晶片(W)且能够移动的载置台(12);配置于载置台(12)的上方的探针卡(...
接触构造体和接触构造体的制造方法技术
本发明的接触构造体具备探针和配置在探针外周的外壳,外壳具备:形成有在上下方向贯通的中空部的外壳主体;和在中空部的内壁面涂覆的导电性的覆层,探针具备:基端部,其位置固定在外壳的一端侧;前端部,其在与覆层接触的状态下,能够在中空部移动,在前...
判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序制造方法及图纸
本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成系统和程序。在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时,对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定,用以提高该图案的面内均一性,该判定方法包括:测定所述...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供等离子体处理装置。在周期性地对在等离子体处理中使用的高频的功率进行调制的方式中,尽可能地减少等离子体阻抗的变动和向高频电源的反射,保证等离子体的稳定性、再现性以及高频电源的安全保护。在该等离子体处理装置中,不仅以与处理相应的特...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够降低被处理基体的中央部分的处理速度。一个实施方式的等离子体处理装置包括:处理容器、气体供给部、微波发生器、天线、同轴波导管、保持部、电介质窗以及电介质棒。气体供给部向处理容器内供给处...
等离子体氮化处理方法技术
一种等离子体氮化处理方法,在等离子体处理装置的处理容器中被处理体进行高氮剂量的等离子体氮化处理后,进行低氮剂量的等离子体氮化处理。在高氮剂量条件的等离子体氮化处理结束后,向同一上述处理容器内导入稀有气体、氮气和氧气,在处理容器内的压力为...
等离子体氮化处理方法和等离子体氮化处理装置制造方法及图纸
向等离子体氮化处理装置(100)的处理容器(1)中,导入包括氮气和稀有气体的处理气体,处理气体的流量在换算成每1L所述处理容器的容积的处理气体的合计流量[mL/min(sccm)]时处于1.5(mL/min)/L以上13(mL/min)...
成膜装置制造方法及图纸
使用包括有机金属化合物的原料气体形成薄膜的成膜装置具备:内部能够真空排气的处理容器(22);载置被处理体(W),并且设置有对被处理体(W)进行加热的加热器(34)的载置台(28);在载置台(28)的上方与载置台(28)相对设置,向着载置...
感应耦合等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种即使对于大型基板,也能够得到均匀的等离子体分布的感应耦合等离子体处理装置。在处理室(4)的上方隔着电介质壁(2),具有高频天线(13),其包括,在处理室(4)内,主要在外侧部分形成感应电场的外侧天线部(13a)、主要在内侧...
膜的处理方法技术
本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时,能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值,同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时,使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜...
基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法制造方法及图纸
本发明提供一种即使由于磨损等原因表面和背面的平行遭到破坏、也能够使用利用了低相干光的干涉的温度测量装置进行准确的温度测量的基板处理装置的处理室内构成构件及其温度测量方法。在真空气氛中使用且被测量温度的聚焦环(25)具有:消耗面(25a)...
具有控制装置的蒸镀装置制造方法及图纸
本发明提供一种具有控制装置的蒸镀装置,蒸镀装置(100)利用在蒸镀源(110)中气化后的成膜材料对基板(G)进行成膜处理,控制装置(700)的存储部(710)存储表示成膜速度与载气流量之间的关系的多个表格。表格选择部(750)基于工艺条...
安装方法和安装装置制造方法及图纸
本发明提供一种在基板上依次安装多个元件的安装方法,包括:载置工序,将利用取出部从收纳有多个元件的收纳部取出的一个元件载置在基板的表面并且是涂布有液体的一个区域;和涂布工序,在将一个元件载置在一个区域上时,利用以能够与取出部一起移动的方式...
温度测量装置制造方法及图纸
本发明涉及的温度测量装置包括基板(2)、配置在基板(2)的一个面上的温度传感器(3)、以及被配置以将使用温度传感器(3)检测温度的电路与温度传感器(3)电连接的引线(8)。在基板(2)的一个面上的温度传感器(3)的周围形成有热容量比形成...
电极制造装置及电极制造方法制造方法及图纸
本发明提供电极制造装置及电极制造方法,能够在制造电极时,在带状的基材的表面适当且高效地形成活性物质层。电极制造装置包括:放出卷,其用于放出带状的金属箔;涂敷部,其用于在金属箔的双面涂敷活性物质混合剂;干燥部,其用于使金属箔上的活性物质混...
盖体开闭装置制造方法及图纸
本发明提供一种盖体开闭装置。该盖体开闭装置包括:载置台,其用于以FOUP的盖体的前表面朝向形成于用于划分FOUP的输送区域的气氛与基板输送区域的气氛的隔壁上的输送口的方式载置FOUP;气体喷出口,其设置在用于开闭输送口的开闭门的与FOU...
粒子捕捉单元、该粒子捕捉单元的制造方法及基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种粒子捕捉单元,能够防止排气效率降低。构成暴露于微粒(P)飞来的空间的微粒捕集单元(40)的第一捕集单元(40a)具备:由多个第一不锈钢(44a)构成的第一网状层(44)和由多个第二不锈钢(45a)构成的第二网状层(45),...
涂敷膜形成装置和涂敷膜形成方法制造方法及图纸
本发明提供涂敷膜形成装置和涂敷膜形成方法。通过使用两个喷嘴提高基板的涂敷处理的生产节拍时间并抑制成本。涂敷膜形成装置包括:喷嘴保持部件(12),其保持沿基板输送方向前后配置的第1喷嘴(16)和第2喷嘴(17);喷嘴移动部件(11),其使...
等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种技术,通过该技术,在对基板进行等离子体处理的装置中,当不使用仿真基板地利用等离子体来进行清洁时,能够抑制载置台表面的损伤。在等离子体蚀刻处理后,在使基座(3)的表面露出的状态下,利用等离子体(P)来对等离子体蚀刻装置的真空...
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