本发明专利技术提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够降低被处理基体的中央部分的处理速度。一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器、气体供给部、微波发生器、天线、同轴波导管、保持部、电介质窗以及电介质棒。气体供给部向处理容器内供给处理气体。微波发生器发生微波。天线将等离子体激励用的微波导入处理容器内。同轴波导管设置于微波发生器与天线之间。保持部用来保持被处理基体，在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对配置。电介质窗设置于天线与保持部之间，且使来自天线的微波透射到处理容器内。电介质棒在保持部与电介质窗之间的区域沿着同轴波导管的中心轴线设置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术的各个方面及实施方式涉及ー种等离子体处理装置。
技术介绍
等离子体处理装置中存在下述专利文献I所述的装置。专利文献I所述的等离子体处理装置包括处理容器、微波发生器、同轴波导管、天线、电介质窗、气体导入单元、保持部以及等离子体部。天线通过同轴波导管接收由微波发生器发生的微波，使微波通过电介质窗而导入处理容器内部。另外，气体导入单元将处理气体导入处理容器内。气体导入単元包括环状的中央部气体喷嘴部。在专利文献I的等离子体处理装置中，处理气体的等离子体在处理容器内被天线所供给的微波激励，由保持部所保持的被处理基体被该处理气体的等离子体处理。另外，在专利文献I的等离子体处理装置中，为了使被处理基体的处理速度均匀化，将等离子体屏蔽部设直于中周部。专利文献I :日本特开2008-124424号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题专利文献I的气体导入単元包括环状的中央部气体喷嘴部。在专利文献I中记载有必须极力縮小该环状的中央部气体喷嘴部。另外，在专利文献I中还记载了 为了防止被处理基体的周边部的处理速度比该被处理基体的中央区域的处理速度大，将等离子体屏蔽部设直于中周部。另ー方面，本专利技术的专利技术人通过对等离子体处理装置进行反复研究发现，被处理基体的中央部的处理速度有可能比被处理基体的周边部的处理速度大。因此，在等离子体处理装置中，要求降低被处理基体的中央部的处理速度。用于解决课题的方法本专利技术的ー个方面的等离子体处理装置，包括处理容器；将处理气体供给至处理容器内的气体供给部；发生微波的微波发生器；将等离子体激励用的微波导入处理容器内的天线；设置于微波发生器与天线之间的同轴波导管；在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对配置的保持部，并且该保持部保持被处理基体；设置在天线与保持部之间的电介质窗，并且该电介质窗使来自天线的微波透射至处理容器内；和在保持部与电介质窗之间的区域沿着中心轴线设置的电介质棒在该等离子体处理装置中，电介质棒设置于处理容器内的中央区域。中央区域是保持部与电介质窗之间的区域，且是沿着同轴波导管的中心轴线的区域。电介质棒能够屏蔽中央区域中的等离子体。因此，根据该等离子体处理装置，能够降低中央区域的等离子体的密度。其结果是，能够降低被处理基体的中央部的处理速度。在一个实施方式中，电介质棒的保持部ー侧的前端与保持部之间的距离也可以是95mm以下。在电介质棒的前端与保持部之间的距离为95_以下吋，能够更有效地降低保持部的正上方的中心轴线附近的等离子体的密度。在一个实施方式中，电介质棒的半径也可以是60mm以上。通过使用该半径的电介质棒，能够有效地降低保持部的正上方的中心轴线附近的等离子体的密度。在一个实施方式中，气体供给部可以从天线ー侧向保持部一侧沿着中心轴线供给处理气体，也可以在电介质棒形成有沿着中心轴线方向延伸的、来自气体供给部的处理气体所通过的ー个以上的孔。根据 该方式，能够将处理气体沿着中心轴线通过电介质棒的孔导入处理容器内。另外，在一个实施方式中，也可以在划分形成孔的电介质棒的内面设置有金属膜。根据该方式，能够防止在由电介质棒的内面划分形成的孔的内部发生等离子体。本专利技术的其他的ー个方面的等离子体处理装置包括由电介质制成的圆板，以取代上述ー个方面的等离子体处理装置的电介质棒。该圆板在保持部与电介质窗之间的区域，沿着与中心轴线交叉的面设置。在该等离子体处理装置中，也能够利用电介质制成的圆板屏蔽中央区域的等离子体。因此，根据该等离子体处理装置，能够降低中央区域的等离子体的密度。在一个实施方式中，圆板与保持部之间的距离也可以是95mm以下。在电介质棒的前端与保持部之间的距离是95mm以下时，能够更加有效地降低保持部的正上方的中心轴线附近的等离子体的密度。在一个实施方式中，圆板的半径也可以是60mm以上。通过使用该半径的圆板,能够有效地降低保持部的正上方的中心轴线附近的等离子体的密度。在一个实施方式中，圆板能够被电介质棒支承。该电介质棒可以沿着中心轴线设置，且直径比该圆板小。也可以在该电介质棒上形成有沿着上述中心轴线延伸的、来自气体供给部的处理气体通过的ー个以上的孔。另外，也可以在划分形成该孔的电介质棒的内面设置有金属膜。在一个实施方式中，气体供给部可以从天线ー侧向保持部一侧沿着中心轴线供给处理气体，在圆板上形成有沿着中心轴线延伸的孔。即，圆板也可以是环状板。根据该方式，沿着中心轴线供给的气体能够经由圆板的孔流动，而且，即使存在该孔，也能利用圆板降低中央区域的等离子体的密度。在一个实施方式中，等离子体处理装置还包括在中心轴线的周围呈环状设置的气体管，且该气体管设置有多个气体喷射孔，圆板也可以被支承在气体管上。在一个实施方式中，利用相对于中心轴线沿着放射方向延伸的支承棒，能够将圆板与气体管结合。在一个实施方式中，保持部与气体管的中心轴线方向的距离也可以比圆板与保持部之间的距离短。根据该实施方式，沿着朝着中心轴线的方向从气体管的气体喷射孔喷射，然后朝向上方的气体的流动被圆板更改成朝向下方的流动。利用该处理气体的气流，被处理基体的中心与边缘之间的区域、即中间区域，或者被处理基体的边缘的处理速度，接近该被处理基体的中心的处理速度。其结果是，能够降低被处理基体的径向的形状不均匀。在一个实施方式中，圆板也可以是网眼(mesh)状的圆板。即，也可以在圆板上设置多个网孔(贯通孔)。根据该实施方式，通过适当设定网孔的尺寸，能够调整从气体管的气体喷射孔喷射而朝向上方、被圆板更改成朝向下方的气流的气体的量。在一个实施方式中，支承棒的粗细程度也可以是5mm以下。通过使用该粗细程度的支承棒，能够使支承棒对等离子体的分布的影响较小。在一个实施方式中，气体管也可以在中心轴线方向上设置于圆板的正下方。气体管的气体喷射孔既可以朝向下方，也可以朝向朝着中心轴线的方向，或者也可以朝向斜下方。另外，气体管也可以沿着圆板的外边缘设置且与圆板的下表面接合。根据这些实施方式，能够设定来自呈环状设置的气体管的气体的喷射方向，以降低径向上的该被 处理基体的处理速度的不均匀。在一个实施方式中，气体管可以为具有大致矩形的截面的气体管。另外，在ー个实施方式中，在与中心轴线平行的方向和与该中心轴线正交的方向中的ー个方向上的气体管的截面的宽度，比与中心轴线平行的方向和与该中心轴线正交的方向中的另ー个方向上的气体管的截面的宽度大。根据该气体管，能够抑制气体管的制造成本的増加，并且减少气体 管内的压カ损失。 专利技术效果如以上所说明的那样，根据本专利技术的各个方面和实施方式，提供一种能够降低被处理基体的中央部分的处理速度的等离子体处理装置。附图说明图I是概略地表示一个实施方式的等离子体处理装置的截面图。图2是图I所示的电介质窗与电介质棒的放大截面图。图3是表示通过模拟求出的径向的电子密度分布的坐标图。图4是表示通过模拟求出的径向的电子密度分布的坐标图。图5是表示通过模拟求出的径向的等离子体分布的坐标6是概略地表示其他的实施方式的等离子体处理装置的截面图。图7是图6所示的电介质窗与电介质制成的圆板的放大截面图。图8是表示通过模拟求出的径向的等离子体分布的坐标图。图9是表示通过模拟求出的径向的等离子体分布的坐标图。图10是表示通过模拟求出的径向的等离子体分布的坐标图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.25 JP 2011-067835;2011.07.07 JP 2011-150981.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括 处理容器； 将处理气体供给至所述处理容器内的气体供给部； 发生微波的微波发生器； 将等离子体激励用的微波导入所述处理容器内的天线； 设置于所述微波发生器与所述天线之间的同轴波导管； 在所述同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与所述天线相对配置的保持部，并且该保持部保持被处理基体； 设置在所述天线与所述保持部之间的电介质窗，并且该电介质窗使来自所述天线的微波透射至所述处理容器内；和 在所述保持部与所述电介质窗之间的区域沿着所述中心轴线设置的电介质棒。2.如权利要求I所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电介质棒的所述保持部一侧的前端与所述保持部之间的距离为95mm以下。3.如权利要求I或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述电介质棒的半径为60mm以上。4.如权利要求I或2所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述气体供给部从所述天线一侧向所述保持部一侧沿着所述中心轴线供给所述处理气体， 在所述电介质棒形成有沿着所述中心轴线方向延伸的、来自所述气体供给部的处理气体所通过的一个以上的孔。5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于 在划分形成所述孔的所述电介质棒的内面设置有金属膜。6.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括 处理容器； 将处理气体供给至所述处理容器内的气体供给部； 发生微波的微波发生器； 将等离子体激励用的微波供给至所述处理容器内的天线； 设置于所述微波发生器与所述天线之间的同轴波导管； 在所述同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与所述天线相对配置的保持部，并且该保持部保持被处理基体； 设置于所述天线与所述保持部之间的电介质窗，并且该电介质窗使来自所述天线的微波透射至所述处理容器内；和 由电介质制成的圆板，该圆板在所述保持部与所述电介质窗之间的区域沿着与所述中心轴线交叉的面设置。7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于 所述圆板与所述保持部之间的距离为95_以下。8.如权利要求6或7所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉川润，松本直树，三原直辉，吉川弥，吉村正太，高桥和树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。