【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及利用等离子体来对等离子体处理装置的真空容器内进行清洁的技木。
技术介绍
在半导体器件的制造エ序中的对半导体晶片表面进行的等离子体处理中，随着处理次数的増加，在真空容器的内壁和载置台等上附着的反应生成物的附着量増加。由于当附着量变多时处理环境发生变化，因此有可能导致在晶片间进行的处理的均匀性变差，另夕卜，还成为产生颗粒的主要原因。因此，例如利用使清洁气体等离子体化而得到的等离子体来定期地对真空容器内进行清洁，例如，在使氟化碳(CF)类气体等离子体化进行等离子体蚀刻的装置中，作为清洁气体使用氧(O2)气，以使CF类反应生成物灰化。在这种情况下，为了防止载置台的表面的损伤，通常在载置台上载置仿真晶片后进行等离子体清洁。但是，在该方法中，需要将仿真晶片搬入、搬出真空容器的步骤，因此成为生产能力降低的主要原 因，另外，仿真晶片的成本高，因此存在制造成本变高的缺点。于是，也存在不使用仿真晶片进行清洁的情况，但在该情况下由于载置台的表面暴露在等离子体中，因此该表面变得粗糙，当其粗糙程度变大时，载置台与晶片的传热状态发生变化，导致晶片的エ艺温度偏离设定温度，其结果...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.25 JP 2011-0683701.一种等离子体处理装置，其为平行平板型的等离子体处理装置，在设置于真空容器内的兼作第一电极的载置台上载置基板，在该第一电极与第二电极之间施加高频电カ使处理气体等离子体化，利用所得到的等离子体对所述基板进行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括 在暴露于所述等离子体中的区域设置的直流电压施加用电极； 向所述直流电压施加用电极施加直流电压的直流电压电源部； 清洁气体供给部，其供给用于对所述真空容器内进行清洁的清洁气体；和控制部，其输出控制信号以实施以下步骤在所述载置台上不存在基板的状态下，向处理容器内供给清洁气体的步骤；在所述第一电极与第二电极之间施加高频电カ使清洁气体等离子体化的步骤；和在使清洁气体等离子体化的期间对所述直流电压施加...
【专利技术属性】
技术研发人员：村上贵宏，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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