感应耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种即使对于大型基板，也能够得到均匀的等离子体分布的感应耦合等离子体处理装置。在处理室（4）的上方隔着电介质壁（2），具有高频天线（13），其包括，在处理室（4）内，主要在外侧部分形成感应电场的外侧天线部（13a）、主要在内侧部分形成感应电场的内侧天线部（13b）、和在它们中间部分形成感应电场的中间天线部（13c），在外侧天线部（13a）和中间天线部（13c）分别连接有控制感应耦合等离子体的等离子体密度分布的可变电容器（21a、21c）。各天线部，构成螺旋状的多重天线，而且，在其配置区域按照能够形成均匀电场的方式设定缠绕方法，按照在各天线部的配置区域间能够实现电场的均匀化的方式设定缠绕数目。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对液晶显示装置(IXD)等的平板显示器(FPD)制造用的基板等的被处理体实施等离子体处理的感应耦合等离子体处理装置。
技术介绍
在液晶显示装置(IXD)等的制造工序中，为了对玻璃基板实施规定的处理，使用等离子体蚀刻装置或等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。作为这种等离子体处理装置，以前大多使用电容耦合等离子体处理装置，但是，最近具有能够得到高真空度、高密度的等离子体这种大优点的感应稱合等离子体(Inductively Coupled Plasma:ICP)处理装置受到关注。感应耦合等离子体处理装置，在收容被处理体的处理容器的电介质窗的外侧配置高频天线，通过向处理容器内供给处理气体并且向该高频天线供给高频电力，使处理容器内产生感应耦合等离子体，通过该感应耦合等离子体对被处理体实施规定的等离子体处理。作为感应耦合等离子体处理装置的高频天线，大多使用形成平面状的规定图案的平面天线。 这样，在使用平面天线的感应耦合等离子体处理装置中，在处理容器内的平面天线正下方的空间内生成等离子体，这时，由于与天线正下方各个位置的电场强度成比例具有高等离子体密度区域和低等离子体密度区域的分布，所以平面天线的图案形状成为决定等离子体密度分布的重要因素。但是，一台感应耦合等离子体处理装置应对应的应用不局限于一个，有必要和多个应用对应。这种情况下，为了在各个应用中进行均匀的处理，有必要改变等离子体密度分布。因此，为了使高密度区域和低密度区域的位置不同而准备多个不同形状的天线，对应于应用更换天线。但是，对应于多个应用程序准备多个天线，针对每个不同的应用都进行更换需要耗费相当大的劳力，而且，最近由于LCD用的玻璃基板大型化，天线的制造费用也很高。另夕卜，即使像这样准备多个天线，在所提供的应用中也未必是最合适的条件，必须根据加工条件的调整来对应。对此，专利文献I中公开了，将螺旋形状的天线分成内侧部分和外侧部分两部分设置，在至少一方的天线部分设置可变电容器等阻抗调节单元，通过基于此的阻抗调节，控制上述两个天线部分的电流值，而控制在处理室内形成的感应耦合等离子体的密度分布的技术。上述专利文献I的技术中，螺旋形状的天线的内侧部分和外侧部分的正下方，形成有与由天线形成的电场相对应的强度的等离子体，通过等离子体在水平方向的扩散，能够均匀地控制等离子体的密度分布。但是，在基板的一边的长度超过I米的大型化的情况下，这种扩散效果不能充分的发挥，因此容易反映出天线图案的疏、密的分布，所以等离子体分布有恶化的倾向。而且，如果像这样基板大型化，在天线配置区域电场强度分布产生差异，因此等离子体的分布就 变得不均匀。专利文献I特开2007-311182号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于上述的情况而完成，本专利技术的目的是提供即使对于大型基板也能够得到均匀的等离子体分布的感应耦合等离子体处理装置。为了解决上述课题，本专利技术提供一种感应耦合等离子体处理装置，其包括收容被处理体实施等离子体处理的处理室；在上述处理室内载置被处理体的载置台；向上述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；对上述处理室内气体的排气系统；通过电介质部件配置在上述处理室的外部、具有通过供给高频电力在上述处理室内形成感应电场的设置为同心状的3个以上的天线部的高频天线；和调节包括上述各天线部的天线电路中至少一个的阻抗，由此控制上述天线部的电流值的阻抗调节单元，上述各个天线部，构成多个天线电缆配置为螺旋状的多重天线，并且，在其配置区域按照形成均匀的电场的方式设定其缠绕方法，在各天线部的配置区域之间，以能够实现电场均匀化的方式设定其缠绕数目。在本专利技术中，被处理体形成矩形形状，上述天线部能够构成为按照形成大致矩形形状的方式配置天线电缆。在这种情况下，上述天线部，优选按照在大致矩形形状的各边的中央部比其他部分缠绕数目少的方式设定缠绕方法的形态。而且，上述高频天线，优选按照从内侧的天线部向外侧的天线部缠绕数目变少的方式设定各天线部的缠绕数目。上述阻抗调节单元，与包括上述各天线部的天线电路中的至少一个连接，能够构成为调节该被连接的天线电路的阻抗的结构。在这种情况下，上述阻抗调节单元能够具有可变电容。而且，能够构成为还具有控制单元的结构，其预先设定能够得到最适合于每个应用的等离子体密度分布的上述阻抗调节单元的调节参数，当选择规定的应用时，按照使与该应用对应的上述阻抗调节单元的调节参数成为预先设定的最佳值的方式控制上述阻抗调节单元。根据本专利技术，作为在处理室内形成感应电场的高频天线，使用具有设置为同心状的3个以上的天线部的天线，因此基板的尺寸即使是大型的，发生伴随基板尺寸的大型化各天线部之间也很难产生由于等离子体密度的低下而引起的等离子体的不均匀。而且，各天线部构成多个天线电缆配置为螺旋状的多重天线，并且在其配置区域中以形成均匀电场的方式设定其缠绕方法，在各天线部的配置区域之间以能够实现电场均匀化的方式设定其缠绕数目，因此，很难发生伴随电场强度不均匀的等离子体的不均匀。附图说明图I是表示关于本专利技术一个实施方式的感应耦合等离子体处理装置的剖面图。图2是表示用于图I的感应耦合等离子体处理装置的高频天线的平面图。图3是表示用于图I的感应耦合等离子体处理装置的高频天线的供电电路的图。图4是表示高频天线的其他例子的平面图。图5是表不图4的闻频天线的供电电路图。符号说明I主体 容器2电介质壁(电介质部件)3天线室4处理室13高频天线13a外侧天线部13b内侧天线部13c中间天线部14匹配器15高频电源lfe，1他，I6C供电部件20处理气体供给系统21a, 21c可变电容器23载置台30排气装置50控制部51用户接口52存储部61a外侧天线电路61b内侧天线电路61c中间天线电路G 基板具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图I是表示本专利技术一个实施方式的感应耦合等离子体处理装置的剖面图。图2是表示用于该感应耦合等离子体处理装置的高频天线的平面图。该装置，例如用于在FH)用玻璃基板上形成薄膜晶体管时的金属膜、ITO膜、氧化膜等的蚀刻，或者抗蚀剂膜的灰化处理。这里，作为FPD，举例表示出了液晶显示器(IXD)、电致发光(Electro Luminescence ;EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。该等离子体处理装置，具有由导电性材料、例如内壁面被阳极氧化处理的铝构成的角筒形状的气密的主体容器I。该主体容器I被可分解地组装而成，通过接地线Ia接地。主体容器I，通过电介质壁2被上下地划分成天线室3和处理室4。因此，电介质壁2构成处理室4的顶棚壁。电介质壁2，由Al2O3等的陶瓷、石英等构成。在电介质壁2的下侧部分，嵌入有处理气体供给用的喷淋筐体11。喷淋筐体11被设置成十字状，构成从下面支撑电介质壁2的结构。而且，支撑上述电介质壁2的喷淋筐体11，通过多个挂钩(没有图示)悬挂在主体容器I的顶棚上。该喷淋筐体11由导电性材料，优选为金属，例如由为了不产生污染物而使其内面被阳极氧化处理的铝构成。在该喷淋筐体11上形成有水平方向延伸的气体流路12，在该气体流路12连通有向下方延伸的多个气体吐出孔12a。一方面，在电介质壁2的上表面的中央，以与该气体流路12连通的方式设置有气体供给管20a。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2008.05.14 JP 2008-1271661.一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括 收容被处理体并实施等离子体处理的处理室； 在所述处理室内载置被处理体的载置台； 高频天线，其经由电介质部件配置在所述处理室的外部，所述高频天线通过供给高频电力在所述处理室内形成感应电场，至少同心状地配置有内侧天线部、该内侧天线部的外侧的中间天线部、和该中间天线部的外侧的外侧天线部而形成；和 阻抗调节单元，与包含所述内侧天线部的内侧天线电路、包含所述中间天线部的中间天线电路和包含所述外侧天线部的外侧天线电路中的至少一个连接而调节阻抗，由此对所述内侧天线部、所述中间天线部和所述外侧天线部的电流值进行控制， 以所述外侧天线部的缠绕数目比所述中间...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤均，佐藤亮，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：