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东京毅力科创株式会社专利技术
东京毅力科创株式会社共有7373项专利
等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种能够防止构成等离子体生成室的包含硅的部件引起的微粒附着到被处理基板上的等离子体处理装置的清理方法和等离子体处理方法。该等离子体处理装置具备:具有包含硅的结构部件、激发处理气体而生成等离子体的等离子体生成室;经由间隔部件与上...
等离子处理装置以及微波导入装置制造方法及图纸
本发明的目的在于提供等离子处理装置以及微波导入装置,用简单的构成使等离子的分布均匀化。等离子处理装置(1)具备向处理容器(2)内导入微波的微波导入装置(5)。微波导入装置(5)包括嵌合于顶部(11)的多个开口部的多个微波透过板(73)。...
等离子体处理方法技术
本发明旨在提供一种将形成在基板上的沟槽侧面的氧化膜薄膜化且抑制沟槽上的图案上部的边角被侵蚀的等离子体处理方法。它是一种在热氧化膜60形成后用等离子体对形成有沟槽61的晶圆W进行氧化处理的等离子处理方法,在该方法中,晶圆W被放置在施加有离...
等离子体处理装置、等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中,一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理,以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括:存...
等离子体处理装置和等离子体产生用天线制造方法及图纸
提供一种能够供给气体和电磁波的等离子体处理装置和等离子体产生用天线。等离子体处理装置(10)包括:进行等离子体处理的处理容器(100);使所供给的电磁波透过的慢波板(480);和具有与慢波板(480)邻接地设置的喷头(210)的等离子体...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种电感耦合型等离子体处理装置,其完美地抑制RF天线内的波长效应,并且能够自如且精细地控制等离子体密度分布。在腔室(10)的顶部或电介质窗(52)上设有用于在腔室(10)内生成电感耦合等离子体的环状的RF天线(54)。该RF天...
基板处理方法技术
本发明提供一种能够提高蚀刻的加工控制性的基板处理装置。基板处理装置(10)包括:内部被减压的腔室(11);配置在该腔室(11)内、载置晶片(W)的基座(12);对基座(12)施加等离子体生成用高频电压的HF高频电源(18);对基座(12...
等离子体处理装置和等离子体处理方法制造方法及图纸
本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在电感耦合型等离子体处理中有效且任意地控制在腔室内形成的环状等离子体内的等离子体密度分布。在该电感耦合型等离子体处理装置中,为了生成电感耦合等离子体而设置在介电窗(52)上的RF天线(5...
等离子体处理装置制造方法及图纸
本发明提供等离子体处理装置。通过控制环部件的温度抑制沉积物向基板背面的附着量。在电容耦合型的等离子体蚀刻装置中,以包围载置台的基板载置区域的方式,在该载置台上设置用于调整等离子体的状态的聚焦环。此外,在载置台的上表面与聚焦环的下表面之间...
温度控制方法以及等离子体处理系统技术方案
本发明提供一种温度控制方法以及等离子体处理系统,能够高精确度地控制晶圆(W)的温度。温度控制方法的特征在于,具备以下步骤:获取步骤,获取晶圆(W)的背面膜的种类的测量结果;选择步骤,从将向腔室内投入的能量、背面膜的种类以及晶圆(W)的温...
立式分批式成膜装置制造方法及图纸
本发明提供一种立式分批式成膜装置,该立式分批式成膜装置具有:处理室,其用于一并对多个被处理体进行成膜;加热装置,其用于加热被处理体;排气机构,其用于对处理室的内部进行排气;收容容器,其用于收容处理室;气体供给机构,其用于向收容容器的内部...
薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置制造方法及图纸
本发明提供一种薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法和薄膜形成装置,该薄膜形成装置的清洗方法用于在向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体而在被处理体上形成薄膜后去除被附着在装置内部的附着物,其中,该薄膜形成装置的清洗方法具有清洗工序,在该清...
成膜装置和成膜方法制造方法及图纸
本发明提供一种成膜装置,其特征在于,包含:旋转台,其包含载置基板的基板载置部且被设成能够在真空容器内旋转;第1反应气体供给部,对旋转台的形成有基板载置部的面供给第1反应气体;第2反应气体供给部,在旋转台的圆周方向与第1反应气体供给部分离...
调整方法和基板处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种调整方法和基板处理装置,能够提高基板处理装置的生产率。基板处理装置(1)包括:相互组合而进行一系列的工序的处理模块(10A、10B);和控制部(70)。当由于处理模块(10A)的调整的开始而中断所述一系列的工序时,处理模块...
基板清洗装置以及真空处理系统制造方法及图纸
本发明提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下,良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T,并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内...
载置台构造和处理装置制造方法及图纸
本发明提供一种载置台构造,其设置于能够进行排气的处理容器内,用于载置要处理的被处理体,该载置台构造的特征在于,具备:载置台,其用于载置所述被处理体,至少设置有加热单元,由电介质形成;和支柱,其为了支承所述载置台而从所述处理容器的底部侧竖...
处理系统技术方案
本发明的处理系统具备小空间(31)、小空间(31)所具备的、安装有用于收纳被处理体的盒(F)的装载部(32)、和配置在小空间(31)内的搬送装置(34)。上述搬送装置(34)还具备多关节臂(37)、安装在多关节臂(37)前端的拾取器(3...
基板收纳装置制造方法及图纸
本发明提供一种基板收纳装置。该基板收纳装置根据使用环境有效地防止异物附着在被收纳的基板上。基板收纳装置包括:供气部(110),其用于向基板收纳装置(100)内引入外部空气;排气部(120),其与供气部相对配置;基板载置板(140),其设...
硅氧化膜的形成方法和等离子体氧化处理装置制造方法及图纸
一边通过排气装置(24)对处理容器(1)内进行减压排气,一边从气体供给装置(18)的非活性气体供给源(19a)和含臭氧气体供给源(19b),通过气体导入部(15)将非活性气体和相对于O2和O3的合计的体积、O3的体积比率为50%以上的含...
接合系统、接合方法、程序及计算机存储介质技术方案
本发明提供一种接合系统、接合方法、程序及计算机存储介质。接合系统包括:输入输出站,其能够保有多个基板或多个层叠基板并相对于处理站进行基板或层叠基板的输入输出;处理站,其用于对基板进行规定的处理,并将基板彼此接合。处理站包括:表面活化装置...
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