成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种成膜装置，其特征在于，包含：旋转台，其包含载置基板的基板载置部且被设成能够在真空容器内旋转；第1反应气体供给部，对旋转台的形成有基板载置部的面供给第1反应气体；第2反应气体供给部，在旋转台的圆周方向与第1反应气体供给部分离地设置且对旋转台的形成有基板载置部的面供给与第1反应气体反应的第2反应气体；以及，活化气体供给部，在旋转台的圆周方向与第1和第2反应气体供给部分离地设置，且对旋转台的形成有基板载置部的面，将对第1反应气体与第2反应气体的反应性生成物进行重整的重整气体和进行蚀刻的蚀刻气体活化并供给。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及向基板交替地供给多种反应气体，在基板表面使反应气体相互反应，使由反应生成物构成的膜成膜于基板的。
技术介绍
伴随半导体设备的电路图案的进ー步的微细化，对于构成半导体设备的各种膜也要求进ー步的薄膜化和均匀化。作为对应这种要求的成膜方法，已知所谓的分子层成膜法(也称为原子层成膜法)，其通过向基板供给第I反应气体，使第I反应气体吸附于基板的表面，然后向基板供给第2反应气体，使吸附于基板的表面的第I反应气体与第2反应气体反应，从而将由反应生成物构成的膜堆积于基板(例如专利文献I)。根据这种成膜方法，由于反应气体能够(准)自饱和地吸附于基板表面，因此，能够实现高膜厚控制性、优异的均匀性和优异的填埋特性。专利文献I :日本特开2010-56470号公报专利文献2 日本特开2003-142484号公报
技术实现思路
但是，伴随电路图案的微细化，例如伴随沟道元件分离结构中的沟道、线 间隙 图案(Line Space pattern)中的间隙的高宽比的变大，即使在分子层成膜法中，有时也难以填埋沟道、间隙。例如，若要用氧化硅膜填埋具有30nm左右的宽度的间隙，则反应气体难以进入到狭窄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，包括：将形成有包含凹部的图案的基板送入真空容器内的步骤；从第1反应气体供给部对所述基板供给第1反应气体，使所述第1反应气体吸附于所述基板的吸附步骤；从第2反应气体供给部对所述基板供给与所述第1反应气体反应的第2反应气体，使吸附于所述基板的所述第1反应气体与所述第2反应气体反应，在所述基板上形成反应生成物的形成步骤；利用设置在所述真空容器内的、能够使气体活化的活化气体供给部，将重整气体活化并供给于所述基板，对所述反应生成物进行重整的重整步骤；和在不形成所述反应生成物的气氛下，利用所述活化气体供给部将蚀刻气体活化并供给于所述基板，对所述反应生成物进行蚀刻的蚀刻步骤。

【技术特征摘要】
2011.03.29 JP 2011-0731931.一种成膜方法,包括 将形成有包含凹部的图案的基板送入真空容器内的步骤； 从第I反应气体供给部对所述基板供给第I反应气体，使所述第I反应气体吸附于所述基板的吸附步骤； 从第2反应气体供给部对所述基板供给与所述第I反应气体反应的第2反应气体，使吸附于所述基板的所述第I反应气体与所述第2反应气体反应，在所述基板上形成反应生成物的形成步骤； 利用设置在所述真空容器内的、能够使气体活化的活化气体供给部，将重整气体活化并供给于所述基板，对所述反应生成物进行重整的重整步骤；和 在不形成所述反应生成物的气氛下，利用所述活化气体供给部将蚀刻气体活化并供给于所述基板，对所述反应生成物进行蚀刻的蚀刻步骤。2.根据权利要求I所述的成膜方法，其中，在所述重整步骤中，通过利用所述活化气体供给部将所述重整气体和所述蚀刻气体活化并供给于所述基板，从而进行所述反应生成物的重整和蚀刻。3.根据权利要求I所述的成膜方法，其中，在所述重整步骤之前，进一步包括依次将所述吸附步骤、所述形成步骤和所述重整步骤重复一次或者二次以上的步骤。4.根据权利要求I所述的成膜方法，其中，在所述蚀刻步骤后，进一步包括依次将所述吸附步骤、所述形成步骤和所述重整步骤重复一次或者二次以上的步骤。5.根据权利要求I所述的成膜方法，其中，在所述重整步骤中，利用高频活化所述重整气体。6.根据权利要求I所述的成膜方法，其中，在所述蚀刻步骤中，利用高频活化所述蚀刻气体。7.—种成膜方法,其特征在于,包括 将形成有包含凹部的图案的基板送入真空容器内的步骤； 从第I反应气体供给部对所述基板供给第I反应气体，使所述第I反应气体吸附于所述基板的吸附步骤； 从第2反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤寿，熊谷武司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：