腔室装置和具有它的基片处理设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种腔室装置，包括：腔室本体，所述腔室本体内限定有腔室；和第一热电冷却部件，所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体，且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。本发明专利技术还提供了一种具有上述腔室装置的基片处理设备。本发明专利技术采用热电冷却部件对腔室本体进行冷却，设计加工简单，冷却效果好，改善了安全性和可维护性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种腔室装置和具有该腔室装置的基片处理设备。
技术介绍
CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。CVD制作过程是将晶圆(基底)暴露在一种或多种不同的前驱物下，在一定工艺温度下，在基底表面发生化学反应和/或化学分解来产生欲沉积的薄膜。反应过程中伴随地产生不同的副产品大多会会随着气流被带着，不会留在腔室中。根据不同的分类方法，CVD可以分为多种类型。例如，以压力分类，CVD包括低压CVD (Low-pressure chemical vapor deposition, LPCVD)、常压CVD (Atmospheric pressurechemical vapor deposition, APCVD)和超高真空 CVD (Ultra-high vacuum chemicalvapor deposition, UHVCVD);以电浆技术分类，CVD包括微波电浆辅助化学气相沉积(Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition, MP本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种腔室装置，包括腔室本体和进气部件，所述腔室本体内限定有腔室，所述进气部件设在所述腔室本体上用于向所述腔室内供气，其特征在于，还包括第一热电冷却部件，所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体，且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。

【技术特征摘要】
1.一种腔室装置，包括腔室本体和进气部件，所述腔室本体内限定有腔室，所述进气部件设在所述腔室本体上用于向所述腔室内供气，其特征在于，还包括第一热电冷却部件，所述第一热电冷却部件的冷端邻近所述腔室本体的至少一部分外表面而设置以冷却所述腔室本体，且所述第一热电冷却部件的热端远离所述腔室本体的至少一部分外表面而设置。2.根据权利I所述的腔室装置，其特征在于，所述第一热电冷却部件的冷端贴置在所述腔室本体的整个外表面上。3.根据权利I所述的腔室装置，其特征在于，所述第一热电冷却部件的冷端通过蓄冷片贴置在所述腔室本体的外表面上。4.根据权利I所述的腔室装置，其特征在于，所述第一热电部件包括设在所述腔室本体的顶壁外表面上的顶壁热电冷却部件和设在所述腔室本体的周壁外表面上的周壁热电冷却部件。5.根据权利4所述的腔室装置，其特征在于，所述腔室本体的顶壁内形成有进气通道和将所述进气通道与所述腔室连通的进气孔以使所述进气部件由所述顶壁构成。6.根据权利5所述的腔室装置，其特征在于，还包括第二热电冷却部件，所述第二热电冷却部件的冷端设在所述进气孔内并与所述顶壁热电冷却部件的冷端相连，所述第二热电冷却部件的热端与所述顶壁热电冷却部件的热端为同一热端。7.根据权利5所述的腔室装置，其特征在于，所述进气孔为多个，所述多个进气孔沿竖直方向延伸且均匀分布在所述顶壁上。8.根据权利4所述的腔室装置，其特征在于，所述进气部件包括内管和套设在所述内管外面的外管，所述外管与所述内管之间限定出外进气通道且所述内管限定出内进气通道，所述内管和所述外管的下端穿过所述腔室本体的所述顶壁向下延伸到所述腔室内。9.根据权利8所述的腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亚伟，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
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