【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子
,尤其涉及一种侧墙二氧化硅薄膜沉积方法。
技术介绍
次大气压化学气相沉积(SubAtmosphere Chemical Vapor Deposition, SACVD)是一种应用比较广泛的化学气相沉积技术,该技术利用臭氧以及四乙基硅甲烷(TEOS)做为反应起始气体。在一定的温度条件下通常为30(T500°C进行热化学反应,由于其反应压力一般在50 600 torr,略低于大气压,因此称之为次大气压化学气相沉积。SACVD在反应过程中不需要借助等离子体解离反应气体,而是通过臭氧中的活性 氧原子与TEOS中的硅反应生成二氧化硅。因此,由SACVD方法制备的二氧化硅薄膜在沉积过程中对衬底没有等离子体诱导损伤(Plasma Induced Damage, PID), SACVD还具有比较好的阶梯覆盖能力以及均匀度。综合上述SACVD制程的特点,在半导体制备过程中,尤其是比较先进的工艺中,晶体管的侧墙(Spacer) 二氧化硅通常采用SACVD方法制备。但是,SACVD由于在沉积过程中温度相对炉管的热氧反应较低,并且没有等离子体的轰击作用,其薄膜中会含有一定量的H,薄膜的性质相对较差,例如具有较高的湿法蚀刻速率、密度较低、容易吸水、在一些对薄膜性质要求较高的制程中需要额外的热处理过程以增加薄膜的密度。因此,有必要提高由SACVD方法制备的二氧化硅薄膜的性能。
技术实现思路
本专利技术根据现有技术中存在的缺陷,提供一种二氧化硅侧墙薄膜的沉积方法,在由次大气压化学气相沉积(SACVD)方法制备的二氧化硅侧墙薄膜沉积完成之后,对其进行紫外光的照射 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种侧墙沉积方法,其特征在于,包括以下顺序步骤 步骤I:准备衬底,设定进行次大气压化学气相沉积的气体流量、压力和温度; 步骤2 :对衬底进行薄膜沉积; 步骤3 :对沉积形成的薄膜进行紫外光照射; 步骤4 :取出衬底。2.根据权利要求I所述的方法,其特征在于,循环进行步骤2和3的操作。3.根据权利要求I所述的方法,其特征在于,所述次大气压化学气相沉积过程的压力范围为10 700 torr04.根据权利要求I所述的方法,其特征在于,所述次大气压化学气相沉积过程...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐强,毛智彪,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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