【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种立式分批式成膜装置。
技术介绍
作为一并在多个半导体晶圆上形成膜的分批型成膜装置，公知有立式分批式成膜装置(专利文献I)。在立式分批式成膜装置中，将半导体晶圆沿着高度方向叠置在立式晶圆舟皿上，将半导体晶圆连同立式晶圆舟皿收容在处理室内。 成膜所使用的成膜气体被从处理室的下方供给，并从处理室的上方排气。因此，存在有成膜气体随着从处理室的下方向上方前进而被消耗、到达被装载在立式晶圆舟皿的上层的半导体晶圆的成膜气体减少这样的情况。这样下去，被装载在立式晶圆舟皿的上层的半导体晶圆上的成膜量与被装载在立式晶圆舟皿的下层的半导体晶圆上的成膜量之间产生偏差。为了抑制这样的成膜量的偏差，进行钻研，使得以在处理室的内部设定处理室的下方温度降低、上方温度反而增高这样的炉内温度梯度的方式控制加热器，来进一步促进在被装载在立式晶圆舟皿的上层的半导体晶圆上成膜。专利文献I :日本特开平8-115883号公报这样，在立式分批式成膜装置中，每次进行成膜，都必须在处理室的内部设定炉内温度梯度。另外，处理室内的温度直到稳定在适当的炉内温度梯度为止需要相应的温度稳定时间。近来，半...
【技术保护点】
一种立式分批式成膜装置，其用于一并对多个被处理体进行成膜，其特征在于，该立式分批式成膜装置具有：处理室，其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体，一并对上述多个被处理体进行成膜；加热装置，其用于对收容在上述处理室内的上述多个被处理体进行加热；排气机构，其用于对上述处理室的内部进行排气；收容容器，其用于收容上述处理室；气体供给机构，其用于向上述收容容器的内部供给处理所使用的气体；多个气体导入孔，其设于上述处理室的侧壁，用于使上述处理室与上述收容容器相连通，该立式分批式成膜装置将上述处理所使用的气体经由上述多个气体导入孔以与上述多个被处理体的处理面平行的气...
【技术特征摘要】
2011.03.31 JP 2011-0784811.一种立式分批式成膜装置，其用于一并对多个被处理体进行成膜，其特征在于，该立式分批式成膜装置具有 处理室，其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体，一并对上述多个被处理体进行成膜； 加热装置，其用于对收容在上述处理室内的上述多个被处理体进行加热； 排气机构，其用于对上述处理室的内部进行排气； 收容容器，其用于收容上述处理室； 气体供给机构，其用于向上述收容容器的内部供给处理所使用的气体； 多个气体导入孔，其设于上述处理室的侧壁，用于使上述处理室与上述收容容器相连、通， 该立式分批式成膜装置将上述处理所使用的气体经由上述多个气体导入孔以与上述多个被处理体的处理面平行的气流向上述处理室的内部供给，并且在上述处理室内不设定炉内温度梯度就一并对上述多个被处理体进行成膜。2.根据权利要求I所述的立式分批式成膜装置，其特征在于， 在上述处理室内具有使处理所使用的气体沿着纵向流动的排气通路， 将从上述被处理体的边缘到上述处理室的内壁面的距离中的、上述排气通路以外的部分设为距离dl、上述排气通路的部分设为距离d2时，设定为dl < d2。3.—种立式分批式成膜装置，其用于一并对多个被处理体进行成膜，其特征在于， 该立式分批式成膜装置具有 处理室，其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体，一并对上述多个被处理体进行成膜； 加热装置，其用于对收容在上述处理室内的上述多个被处理体进行加热； 收容容器，其用于收容上述处理室； 分隔壁，其用于将上述收容容器的内部划分为气体扩散室与气体排气室； 气体供给机构，其用于向上述气体扩散室供给处理所使用的气体； 多个气体导入孔，其设于上述处理室的侧壁，用于使上述处理室与上述气体扩散室相连通； 排气机构，其用于对上述气体排气室的内部进行排气； 多个气体排气孔，其设于上述处理室的侧壁，用于使上述处理室与上述气体排气室相连通， 该立式分批式成膜装置将上述处理所使用的气体经由上述多个气体导入孔以与上述多个被处理体的处理面平行的气流向上述处理室的内部供给，并且在上述处理室内不设定炉内温度梯度就一并对上述多个被处理体进行成膜。4.一种立式分批式成膜装置，其用于一并对多个被处理体进行成膜，其特征在于， 该立式分批式成膜装置具有 处理室，其用于以将多个被处理体沿着高度方向叠置的状态收容该多个被处理体，一并对上述多个被处理体进行成膜； 加热装置，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：远藤笃史，黑川昌毅，入宇田启树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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