基板清洗装置以及真空处理系统制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够在抑制对基板的有效区域的负面影响的状态下，良好地清洗基板的周边部的不要部位的技术。将在蚀刻工序中暴露而导致表面侧斜面部生成有针状突起群T，并且在背面侧的斜面部附着有复合化合物P的晶圆W放置于真空室内的旋转台。在真空室内，在晶圆W的上方侧以及下方侧设置有气体团簇喷嘴，从这些喷嘴向晶圆W的表面侧以及背面侧的斜面部照射与清洗处理对应的清洗气体的团簇C，并利用基于气体团簇C的碰撞的物理作用、和气体与除去对象部位的化学作用，除去针状突起群T以及复合化合物P。并且，通过将清扫气体向气体团簇C的照射位置排出，以防止由于清洗而产生的飞散物向晶圆W的再附着。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及清洗基板的周边部的技术。
技术介绍
半导体装置的制造工艺中，研究了在半导体晶圆(以下，称为晶圆。)上层叠多层膜后在其上形成抗蚀掩模，使用该抗蚀掩模并在单独的蚀刻装置上利用各膜所对应的蚀刻气体在上述多层膜上形成孔、槽的工序。该一系列工序中，在晶圆上形成多层膜后，利用湿式清洗装置除去周边部的膜，之后在多层膜上形成抗蚀剂图案。因此，在蚀刻该晶圆时，晶圆的周边露出基材、即硅。因此，晶圆的周边部的硅部分在蚀刻工序中被暴露而导致其表面被切削，变形为密集了针状的锐角突起群的表面状态。另外，晶圆的背面侧的周边部未被等离子体照射，因此在晶圆的表面附着并堆积了由等离子体与膜发生反应而生成的例如聚合物等反应生成物，而成为不希望的颗粒产生的主要因素。 即使欲利用等离子体清洁来除去形成于晶圆的表面侧的周边部的硅的锐角状的凹凸部分(针状突起群)，也会由于清洁气体的等离子体具有各向异性而很难除去，而且，在利用刷清洗时，无法擦去突起群T。另外,在使用CMP (Chemical Mechanical Polishing 化学机械剖光)方法中，虽能够削去突起群，但存在使晶圆的表面污染这样的问题。另外，对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板清洗装置，其特征在于，具备：保持部，其被设置于具有排气口的处理室内，用于保持基板；喷嘴部，为了除去所述保持部所保持的基板的周边部的不要部位，而用于对该周边部照射气体团簇；和移动机构，其用于在所述气体团簇的照射时使所述保持部和所述喷嘴部相对地移动，所述喷嘴部通过排出压力比所述处理室内的压力高的清洗气体来使清洗气体绝热膨胀而形成清洗气体的原子或者分子的集合体、即气体团簇。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：土桥和也，井内健介，清水昭贵，安田健太，吉野裕，相田敏广，妹尾武彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，岩谷产业株式会社，
类型：发明
国别省市：