调整方法和基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种调整方法和基板处理装置，能够提高基板处理装置的生产率。基板处理装置(1)包括：相互组合而进行一系列的工序的处理模块(10A、10B)；和控制部(70)。当由于处理模块(10A)的调整的开始而中断所述一系列的工序时，处理模块(10B)成为待机状态，并且以至少在处理模块(10B)中与基板(W)的处理相关联而设定的第二累计值在设定值N2以上为条件，在处理模块(10B)中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施处理模块(10B)的调整。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对基板进行规定的处理的多个处理室的内部的调整方法和基板处理装置。
技术介绍
在半导体器件的制造过程中，对作为被处理基板的半导体晶片实施成膜或蚀刻等规定的处理。另外，FPD(Flat Panel Display :平板显示器)的制造过程中，对FPD用的玻璃基板实施成膜或蚀刻等规定的处理。这些处理使用具备多个对基板进行规定的处理的处理室的多腔室型的基板处理装置。通过使用该基板处理装置，能够在始终如一的气氛中对基板进行多个处理。但是，在半导体器件和FPD的制造过程中，有时在基板处理装置中连续进行种类不同的多个工序。一系列的工序能够通过组合条件不同的多个处理室进行。例如，通过将在规定的条件下进行基板的处理的处理室和在与该处理室不同的条件下进行基板的处理其他的处理室组合，能够连续进行种类不同的两个工序。在专利文献I记载有在接触孔内形成作为接触层的Ti膜和作为屏蔽层的TiN膜的技术。在专利文献I中，为了形成这些膜，使用具备利用化学气相沉积法(CVD法)成膜Ti膜的两个Ti成膜装置和利用CVD法成膜TiN膜的两个TiN成膜装置的多腔室型的成膜系统。Ti膜的成膜，将晶片搬入Ti成膜装置来进行。TiN膜的成膜，将成膜过Ti膜之后的晶片继续装入TiN成膜装置来进行。现有技术文献专利文献I :特开2003-221671号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在进行成膜或蚀刻等的处理的处理室的内壁和部件上，每当重复进行处理时，会 附着堆积反应生成物。这样的附着物，当剥离时成为颗粒而附着于基板，成为使产品质量降低的原因。为了除去了上述的附着物，需要对处理室的内部进行清洁。进行成膜处理的处理室的清洁，例如通过在将处理室内的温度保持为规定的温度之后，向处理室内供给ClF3气体、NF3气体、Cl2气体等的清洁气体来进行。另外，在实施过清洁之后，为了使在后续工艺的第一个晶片和第二个以后的晶片的处理条件一致，进行使薄膜在处理室内堆积的预敷处理。将包含这样的清洁和预敷，修整处理室内的环境的处理称为调整。通过定期进行这样的调整，能够防止颗粒的产生。进行调整的周期根据成膜条件和蚀刻条件而变化。在具备多个处理室的多腔室型的基板处理装置中，在各处理室中，在各自的定时进行调整。各处理室中进行调整的定时并不必一致。特别是，通过组合成膜条件不同的多个处理室，连续进行种类不同的多个成膜工序时，每个处理室进行调整的周期不同，因此在各处理室中进行调整的定时并不一致。在连续进行种类不同的多个成膜工序的情况下，当处理室中进行调整的定时不一致时，产生以下那样的问题。在该情况下，在先进行成膜处理的处理室(以下称为在先处理室。)中进行调整的期间，在后进行成膜处理的处理室(以下称为在后处理室。)中，不从在先处理室搬入基板，因此不能进行基板的成膜处理。另外，在后处理室中进行调整的期间，在先处理室中不能向在后处理室输送基板，因此不能进行下一个基板的成膜处理。这样，当多个处理室中的任一的处理室中进行调整时，在与进行调整的处理室有关的其他的处理室中，不能进行基板的成膜处理。因此，各处理室的生产率(在单位时间内能够处理的基板的个数)，除了降低在该处理室中的调整所需要的时间对应的量之外，而且还降低在其他的处理室中的调整所需要的时间对应的量。其结果，基板处理装置整体的生产率降低。本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于，提供一种调整方法和基板处理装置，在具备对基板进行规定处理的多个处理室的基板处理装置中，周期地调整处理室的内部，能够提高基板处理装置的生产率。 用于解决课题的方法本专利技术的调整方法是在具有对基板进行规定的处理的多个处理室的基板处理装置中调整上述处理室的内部的方法。在本专利技术的调整方法中，上述多个处理室包含组合对基板进行一系列的工序的第一处理室和第二处理室，在上述第一处理室中，当与基板的处理相关联设定的第一累计值达到设定值NI时，实施调整。本专利技术的调整方法，当由于上述第一处理室的调整的开始而中断上述一系列的工序时，上述第二处理室成为待机状态，并且以至少在上述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件，在上述第二处理室中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施上述第二处理室的调整。本专利技术的调整方法中，上述一系列的工序包括在上述第一处理室中，对基板进行规定处理的工序；和在上述第二处理室中，对在上述第一处理室中已进行过规定的处理的基板进行与上述第一处理室不同的处理的工序，上述第一累计值是伴随上述第一处理室中的基板的处理进行累计并且通过进行上述第一处理室的调整而成为0的值，上述第二累计值是伴随上述第二处理室中的基板的处理进行累计并且通过进行上述第二处理室的调整而成为0的值，上述第二处理室设定为，当上述第二累计值达到设定值N4时，与上述第一处理室独立地实施调整，并且上述设定值N4也可以是比上述设定值NI大的值。在本专利技术的调整方法中，上述第一累计值是在上述第一处理室中在上一次的调整结束后已进行过处理的基板的累计个数，上述第二累计值也可以是在上述第二处理室中在上一次的调整结束后已进行过处理的基板的累计个数。在本专利技术的调整方法中，上述设定值N2也可以为与从上述设定值N4减去上述设定值NI所得的值相等。在本专利技术的调整方法中，上述第三累计值也可以是上述第二处理室处于待机状态所经过的时间。在本专利技术的调整方法中，上述第一处理室的调整所需要的时间也可以比上述第二处理室的调整所需要的时间长。在本专利技术的调整方法中，上述设定值N3，也可以与从上述第一处理室的调整所需要的时间减去上述第二处理室的调整所需要的时间所得的时间相同或比其短。或者，上述设定值N3，也可以仅比从上述第一处理室的调整所需要的时间减去上述第二处理室的调整所需要的时间所得的时间长出在上述第一处理室中对一个基板进行规定处理所需要的时间的量。本专利技术的调整方法，在开始上述第三累计值的计数之前，至少将上述第二累计值与上述设定值N2进行比较，判定是否进 行上述第二处理室的调整。或者，也可以根据上述第三累计值是否超过设定值N3，判定是否进行上述第二处理室的调整。在本专利技术的调整方法中，上述调整也可以是包括除去上述处理室内的附着物的清洁处理和使薄膜堆积到上述处理室内的预敷处理中的至少任一个的处理。本专利技术的基板处理装置具备对基板进行规定处理的多个处理室；和控制上述多个处理室中的动作的控制部，周期地调整处理室的内部，该基板处理装置的特征在于上述多个处理室包括相互组合而对基板进行一系列的工序的第一处理室和第二处理室，上述控制部以如下方式进行控制在上述第一处理室中，当与基板的处理相关联而设定的第一累计值达到设定值NI时实施调整，当由于上述第一处理室的调整的开始而中断上述一系列的工序时，使上述第二处理室为待机状态，并且以至少在上述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件，在上述第二处理室中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时实施上述第二处理室的调整。在本专利技术的基板处理装置中，上述多个处理室还包括相互组合而对基板进行一系列的工序的第三处理室和第四处理室，在上述第三处理室和第四处理室中，也可以通过进行与上述第一处理室和第二处理室相同的控制实施调整。专利技术效果本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调整方法，在具备对基板进行规定处理的多个处理室的基板处理装置中对所述处理室的内部进行调整，该调整方法的特征在于，包括：所述多个处理室包括相互组合而对基板实施一系列的工序的第一处理室和第二处理室，在所述第一处理室中，在与基板的处理相关联而设定的第一累计值达到设定值N1时，实施调整，当由于所述第一处理室的调整的开始而中断所述一系列的工序时，所述第二处理室成为待机状态，并且以至少在所述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件，在所述第二处理室中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施所述第二处理室的调整。

【技术特征摘要】
2011.03.31 JP 2011-0800741.一种调整方法，在具备对基板进行规定处理的多个处理室的基板处理装置中对所述处理室的内部进行调整，该调整方法的特征在于，包括 所述多个处理室包括相互组合而对基板实施一系列的工序的第一处理室和第二处理室， 在所述第一处理室中，在与基板的处理相关联而设定的第一累计值达到设定值NI时，实施调整， 当由于所述第一处理室的调整的开始而中断所述一系列的工序时，所述第二处理室成为待机状态，并且以至少在所述第二处理室中与基板的处理相关联而设定的第二累计值为设定值N2以上作为条件，在所述第二处理室中开始第三累计值的计数，当该第三累计值超过设定值N3时，实施所述第二处理室的调整。2.如权利要求I所述的调整方法，其特征在于 所述一系列的工序包括在所述第一处理室中，对基板进行规定的处理的工序；和在所述第二处理室中，对在所述第一处理室中已进行过规定的处理的基板进行与所述第一处理室不同的处理的工序， 所述第一累计值是伴随所述第一处理室中的基板的处理进行累计并且通过进行所述第一处理室的调整而成为O的值， 所述第二累计值是伴随所述第二处理室中的基板的处理进行累计并且通过进行所述第二处理室的调整而成为O的值， 所述第二处理室设定为，当所述第二累计值达到设定值N4时，与所述第一处理室独立地实施调整，并且所述设定值N4是比所述设定值NI大的值。3.如权利要求2所述的调整方法，其特征在于 所述第一累计值是在所述第一处理室中在上一次的调整结束后已进行过处理的基板的累计个数， 所述第二累计值是在所述第二处理室中在上一次的调整结束后已进行过处理的基板的累计个数。4.如权利要求3所述的调整方法，其特征在于 所述设定值N2与从所述设定值N4减去所述设定值NI所得的值相等。5.如权利要求I至4中任一项所述的调整方法，其特征在于 所述第三累计值是所述第二处理室处于待机状态所经过的时间。6.如权利要求I至4中任一项所述的调整方法，其特征在于 所述第一处理室的调...

【专利技术属性】
技术研发人员：茅野孝，青木洋治郎，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：