【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种调节用于进行被处理基板的液处理的周围气氛的技木。
技术介绍
在半导体制造エ序中存在对半导体晶圆(以下称作晶圆)等被处理基板进行液处理的エ序。作为液处理，可列举出利用清洗液清洗晶圆等。这种处理所使用的液处理单元例如包括用于接收处理液的杯状件、设置在杯状件内的旋转卡盘等旋转保持部、用于向基板供给处理液的处理液供给喷嘴。于是，在对晶圆进行清洗的情况下，准备多种处理液，通过按照预先设定好的顺序向旋转的晶圆的表面供给各种处理液来执行液处理。 执行这样的液处理的旋转卡盘、杯状件等收容在共用的壳体内而与外部的气氛隔离开。而且，利用自处于该壳体上部的FFU (风机过滤单元Fan Filter Unit)供给的清洁空气在壳体内形成清洁空气的下降流(down flow),抑制随着晶圆的输入、输出动作、液处理的执行而引起微粒、雾沫的上扬，将晶圆和壳体内保持成清洁的状态。另ー方面，在清洗处理过程中，向晶圆供给碱性、酸性的处理液，利用DIW(去离子水Deionized Water)等冲洗液进行冲洗清洗之后供给IPA(异丙醇IsoPropylAlcohol)，从而进行将残...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.03.16 JP 2011-0582401.ー种液处理装置，其用于向被处理基板的表面供给处理液而进行液处理，其特征在干， 该液处理装置包括 壳体，在其中进行液处理； 旋转保持部，其用于在该壳体内保持被处理基板并使该被处理基板绕铅垂轴线旋转； 处理液供给喷嘴，其用于向被该旋转保持部保持并旋转的被处理基板的表面供给处理液； 杯状件，其设置在上述旋转保持部的周围； 第I气体供给部，其为了在上述被处理基板表面上形成处理气氛而配置在与被上述旋转保持部保持的被处理基板相対的位置，用于形成在上述被处理基板的整个表面流动、并流入到杯状件中的第I气体的下降流； 第2气体供给部，其用于在该第I气体的下降流的外侧区域中形成与上述第I气体不同的第2气体的下降流， 上述第I气体供给部和上述第2气体供给部设置在上述壳体的顶部。2.根据权利要求I所述的液处理装置，其特征在干， 上述第I气体的下降流是自上述第I气体供给部朝向上述杯状件形成的喇叭状的气流。3.根据权利要求I或2所述的液处理装置，其特征在干， 自上述第I气体供给部供给的上述第I气体的流量多于因使被处理基板旋转而朝向该被处理基板的周缘部流动的气流的流量。4.根据权利要求I或3所述的液处理装置，其特征在干， 自上述第I气体供给部供给的上述第I气体的流出速度与自上述第2气体供给部供给的上述第2气体的流出速度一致。5.根据权利要求I 4中任一项所述的液处理装置，其特征在干， 上述液处理装置还具有 第I排气部，其设置在上述杯状件的内侧，主要用于排出上述第I气体； 第2排气部，其设置在上述杯状件的外侧、主要用于排出上述第2气体。6.根据权利要求I 4中任一项所述的液处理装置，其特征在干， 上述第I气体供给部切換地供给上述第I气体和上述第2气体。7.根据权利要求I 4中任一项所述的液处理装置，其特征在干， 上述第I气体供给部能够在上述第2气体供给部的内部在形成上述第I气体的下降流的位置与退避位置之间移动， 在上述第I气体供给部处于退避位置时，上述第2气体供给部形成朝向上述被处理基板的整个表面的第2气体的下降流来替代上述第I气体的下降流。8.根据权利要求I 7中任一项所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：西健治，竹下和宏，绪方信博，田中晓，沟田昌吾，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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