本发明提供一种在真空中进行伴随热的处理的基板处理装置，基板处理系统和基板搬送方法，即使以高速搬送基板也能够提高基板的位置精度。对进行伴随热的真空处理的真空处理单元搬入和搬出基板的基板搬送装置，包括：具有决定基板位置的定位销，在对基板定位...

本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环...

本发明提供一种能够抑制附着物的产生的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置具有处理容器、气体供给部、导入部、保持构件以及聚焦环。在处理容器中划分出的处理空间内，利用从导入部导入的能量使从气体供给部供给的处理气体产生等离子体。在该...

通过控制从加热座的周缘部进入的磁通量的透射，准确控制加热座的面内温度。为具有载置基板的载置面的导电部件，包括：加热座（200），其分为周缘部（210）和包围于该周缘部的内侧部（220），内侧部包括厚板状发热体，周缘部将比内侧部薄的薄板状...

本发明提供一种等离子体处理装置，其能够最大限度地减少滤波电路内的RF电力损失量及其机械偏差，提高工艺性能的再现性、信赖性，其中，该滤波电路用于使不需要的高频噪声衰减。在该等离子体处理装置中，设置在第一和第二供电线上的2系统的第一段空芯线...

本发明提供一种热处理炉以及热处理装置。该热处理炉具有：处理容器，其用于收容一个以上的被热处理体；绝热部件，其用于覆盖该处理容器的周围；加热单元，其沿该绝热部件的内周面配置。该绝热部件具有内侧绝热部件和相对于内侧绝热部件独立地设置的外侧绝...

本发明涉及硅膜的形成方法及其形成装置。硅膜的形成方法具备第1成膜工序、蚀刻工序、掺杂工序以及第2成膜工序。第1成膜工序中，以填埋被处理体的槽的方式形成不掺杂杂质的非掺杂硅膜。蚀刻工序中，对在第1成膜工序中被形成的非掺杂硅膜进行蚀刻。掺杂...

本发明提供能够提高异常放电的判定精度、且降低数据处理的负荷的异常检测装置和异常检测方法。一种异常检测装置，具备：监视部，其监视载置于处理室（C）内的晶片（W）即等离子体处理后的晶片从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将所述动作规定为晶片脱...

本发明提供一种成膜装置，具备：基板保持件，该基板保持件以将多个基板隔开间隔而重叠的方式对多个基板进行保持；反应管，该反应管用于容纳基板保持件；原料气体供给管，该原料气体供给管对被基板保持件保持的多个基板供给要成膜于多个基板上的薄膜的原料...

本发明提供一种硅制部件的制造方法和蚀刻处理装置用的硅制部件，其恰当地选择使用在蚀刻处理装置用的硅制部件中的废弃硅材料。该硅制部件的制造方法为对配置于蚀刻处理装置内的硅制部件进行由废弃硅材料再生利用而制造的蚀刻处理装置（10）用的硅制部件...

本发明提供一种基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板，能够取得基板面内的各部分的风向的数据。实施以下步骤求得基板的面内的风向的分布：将在表面设置有用来取得气流的矢量数据的第1传感器和第2传感器组成的多个传感器对的传感器用基板载置于载置...

本发明提供一种即使一次处理的被处理体的个数增加，也能够缩短阀体的升降距离的闸阀。该闸阀具备：被按压到取出和放入被处理体的多个开口部（61a～61d）的阀体（63）；设置在阀体63）上的按压部（67）；与开口部（61a～61d）的开口面平...

本发明提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（2...

本发明提供双流体喷嘴、基板液处理装置和基板液处理方法。该双流体喷嘴能够均匀地喷雾小直径的处理液的液滴。在本发明中，在朝向被处理体喷雾通过使从液体喷射部（48）喷射的处理液与从气体喷射口（52）喷射的气体混合而生成的处理液的液滴的双流体喷...

本发明提供处理气体的使用效率高、且即便被处理体的面积巨大也能够应用ALD法的批量式处理装置。具备主室（31a）；在主室（31a）内沿该主室的高度方向层叠设置，并载置被处理体（G）的多个工作台（101a～101y）；以及针对每个工作台（1...

本发明提供一种等离子处理装置。该装置对于从处理容器内的高频电极和其他电子构件进入到供电线、信号线等线路中来的高频噪声，能够将并联谐振频率任意错开地进行调整，从而能够高效且稳定可靠地阻断不同频率的高频噪声中的所有高频噪声。滤波器（102（...

本发明涉及成膜方法和成膜装置。该成膜方法是向收纳被处理体W且可抽真空的处理容器内供给含硼气体、氮化气体、硅烷系气体和烃气体，在被处理体的表面上形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：第1工序，进行1次以上交替间歇地供给含硼气体和氮...

本发明提供了一种用于将含金属覆盖层集成到半导体器件的铜(Cu)金属化的方法。在一个实施方式中，该方法包括：提供包含金属表面和介电层表面且其上具有残余物的平坦化的图案化衬底；从所述平坦化的图案化衬底上除去残余物；通过将所述介电层表面和所述...

本发明提供一种区域温度控制结构体。该区域温度控制结构体为具有被控制为不同的温度的两个以上的区域的结构体，其抑制沿着各区域的排列方向的导热来保持温度差，并且对于来自与各区域的排列方向交叉的方向的输入热确保顺畅地传导热来抑制产生热点。该区域...

本发明具有如下工序：第一图案形成工序(S13)，通过将由光致抗蚀剂膜构成的第一线部作为掩模对反射防止膜进行蚀刻来形成包括第二线部的图案；照射工序(S14)，对光致抗蚀剂膜照射电子；氧化硅膜成膜工序(S15)，形成氧化硅膜；回蚀工序(S1...