异常检测装置和异常检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高异常放电的判定精度、且降低数据处理的负荷的异常检测装置和异常检测方法。一种异常检测装置，具备：监视部，其监视载置于处理室（C）内的晶片（W）即等离子体处理后的晶片从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将所述动作规定为晶片脱离时的动作；取得部，在被规定的所述晶片脱离时的动作中，取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号，所述定向耦合器设置于对所述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和所述匹配器之间；分析部，其分析取得的所述高频信号的波形图案；和异常判定部，其基于所述高频信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于检测等离子体处理装置的异常放电的。
技术介绍
在对半导体晶片(以下，称为晶片。)和基板等被处理体实施使用等离子的微细加工时，向进行等离子体处理的处理室内导入气体，施加高频电 力，通过将导入的气体分解而生成等离子体，使用该等离子体对被处理体进行等离子体处理。在生成由等离子体的处理室内，由于各种各样的原因，高频电场集中，有时产生电弧放电等异常放电。异常放电在被处理体的表面残留有放电痕迹，使配置于处理室内的构成部件烧损。另外，也成为使附着于处理室内的构成部件上的反应生成物等剥离而产生微粒(particle)的原因。因此，在早期检测处理室内的异常放电并且发现异常放电的情况下，需要立即适当地采取停止等离子体处理装置的动作等的措施，防止被处理体和各种部件的损伤和微粒的产生。于是，在现有技术中提案有早期检测异常放电的方法。作为一个例子，举出在晶片处理后设置测试工序，经由测试工序通过目视发现放电痕的方法。但是，根据该方法，直到晶片处理后测试工序需要相当长的等待时间，在该期间也要接连不断地对未处理的晶片执行等离子体处理。由此，假如在测试工序中即使发现晶片的缺陷，直到使产生异常放电的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异常检测装置，其特征在于，具备：取得部，其取得从RF传感器输出的高频信号和从AE传感器输出的AE信号，所述RF传感器设置于将高频电力施加在对被处理体进行等离子体处理的处理室内的高频电源的匹配器和作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极之间，所述AE传感器用于检测在所述处理室产生的声发射；分析部，其分析所取得的所述高频率信号的波形图案和所述AE信号的波形图案；和异常判定部，其基于所述高频信号的波形图案的分析结果和所述AE信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中谷理子，大岭治树，纲本哲，长池宏史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：