【技术实现步骤摘要】
本申请以2011年6月30日向日本专利局提交的日本专利申请号第2011-146244号为基础，主张其优先权，本说明书参考并包含其全部公开内容。本专利技术涉及在基板上形成薄膜的成膜装置。
技术介绍
在半导体集成电路的制造工序中，有在半导体晶片等的基板(以下称作晶片)上形成各种薄膜的各种成膜工序。在成膜工序中，存在使用所谓的分批式的成膜装置的情况。该成膜装置具备晶舟，该晶舟隔开间隔保持多个晶片；反应管，该反应管容纳晶舟；支承部，该支承部支承反应管；原料气体供给管，该原料气体供给管沿着反应管内的晶 舟延伸，向晶片供给用于在晶片上形成薄膜的原料气体；以及加热器，该加热器配置在反应管的外侧，对保持于晶舟的晶片进行加热。并且，在上述成膜装置中，为了测量晶片的温度而沿着晶舟设置有温度测量部。为了在原料气体中保护温度测量部，温度测量部大多插入到沿着晶舟延伸的保护管的内部(例如专利文献I)。专利文献I :日本特开2002-270593号公报在上述成膜装置中，在将薄膜形成在晶片上的情况下，例如将晶片搭载于晶舟，将晶舟容纳在反应管内，利用加热器对保持于晶舟的晶片进行加热，在晶片温度达...
【技术保护点】
一种成膜装置，其特征在于，具备：基板保持件，该基板保持件以将多个基板隔开间隔而重叠的方式对所述多个基板进行保持；反应管，该反应管用于容纳所述基板保持件；原料气体供给管，该原料气体供给管对被所述基板保持件保持的所述多个基板供给要成膜于所述多个基板上的薄膜的原料气体，所述基板保持件容纳于所述反应管；支承部，该支承部用于支承所述反应管；加热部，该加热部配置在所述反应管的外侧，对所述多个基板进行加热；保护管，该保护管在一端部固定于所述支承部，在所述基板保持件与所述反应管之间沿着所述多个基板的排列方向延伸，内部供温度测量部插入；突起部，该突起部设置在所述保护管的外表面与所述反应管的内...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤泉，白谷勇雄，浅利聪，村上强，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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