本发明专利技术公开了一种束流传输系统及其束流传输方法，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件，所述束流传输系统还包括相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状永磁铁与一第二杆状永磁铁，所述第一杆状永磁铁和第二杆状永磁铁的N极和S极的连线方向与所述第一杆状永磁铁的长度方向相同，并且设置有一个或多个相互独立的第一线圈组，每个所述第一线圈组均具有两个第一线圈，其中每个所述第一线圈组的两个第一线圈分别设置于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的长度方向上的相同位置。本发明专利技术的束流传输系统及其束流传输方法中采用一对永磁铁来节省能源，而且减少了外部对束流传输系统的影响因素，提高了可靠性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种采用永磁铁的。
技术介绍
离子注入是用来把改变导电率的杂质引入半导体晶片的标准技术。所需要的杂质材料在离子源中被离子化，离子被加速成具有规定能量的离子束，而且离子束对准晶片的表面。射束中的高能离子深入半导体材料的主体并且嵌入半导体材料的晶格形成导电率符合需要的区域。 而且使用离子注入法在单晶或多晶硅中掺杂，是制造现代集成电路中使用的一种常规工艺过程。但是当前在太阳能晶片掺杂领域，使用最多的方法依旧是热扩散掺杂，这种方法虽然生产效率较高，但需要一些后续的工艺作为补充，例如去边等。因而工艺步骤较多，购置设备成本高。另外由于热扩散工艺，不能很精确的控制掺杂离子的剂量和均匀性，所以会导致生产的太阳能晶圆损失一部分太阳能转化效率。所以从半导体工艺的发展历史来看，在太阳能晶片掺杂领域使用离子注入替代热扩散也是必然趋势。但是现有的离子束注入系统中，采用的电磁铁需要消耗大量的电力来维持使得束流偏转、聚焦和发散的磁场，所以对能源的消耗很大。此外，由于使得束流偏转、聚焦和发散的磁场仅仅由电磁铁产生的磁场构成，所以对使得束流偏转、聚焦和发散的磁场的调节需要对电磁铁整体进行调节，因而使得对所述磁场的调节非常复杂，而且一旦处于预定状态的所述磁场发生变化时，难于快速地通过对电磁铁的调节来使得所述磁场回复预定状态。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术的离子束注入系统中需要大量的能源来维持控制束流运动的磁场，以及难于对束流运动进行细小微调的缺陷，提供一种，通过采用永磁铁维持控制束流运动的磁场，采用电磁铁产生的磁场来对束流运动进行细小微调。本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题的本专利技术提供了一种束流传输系统，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件，其特点是所述束流传输系统还包括相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状永磁铁与一第二杆状永磁铁，所述第一杆状永磁铁的N极和S极的连线方向与所述第一杆状永磁铁的长度方向相同，所述第二杆状永磁铁的N极和S极的连线方向也与所述第二杆状永磁铁的长度方向相同，并且在所述第一杆状永磁铁和第二杆状永磁铁上设置有一个或多个相互独立的第一线圈组，每个所述第一线圈组均具有两个第一线圈，其中每个所述第一线圈组的两个第一线圈分别设置于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的长度方向上的相同位置。从而通过采用一对永磁铁来代替现有技术中电磁铁，减少了能源的消耗，减少了外部干扰因素。较佳地，束流沿所述第一杆状永磁铁和第二杆状永磁铁的中心的连线方向，在所述第一杆状永磁铁和第二杆状永磁铁上的投影区域外还设置有一个或多个相互独立的第二线圈组，每个所述第二线圈组均具有两个第二线圈，其中每个所述第二线圈组的两个第二线圈分别设置于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的长度方向上的相同位置。 较佳 地,所述第一杆状永磁铁和第二杆状永磁铁的长度方向与束流传输路径方向垂直。较佳地，所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的各个第一线圈和第二线圈的电流方向以及电流的大小均是可调的，从而对所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁构成的磁场进行微调。较佳地，所述第二杆状永磁铁的N极和S极的连线方向与所述第一杆状永磁铁的N极和S极的连线方向相同或相反。本专利技术还提供了一种如上所述的束流传输系统的束流传输方法，其特点是包括以下步骤Sltll、使所述第二杆状永磁铁的N极和S极的连线方向与所述第一杆状永磁铁的N极和S极的连线方向相同或相反，所述束流出射装置发射束流；Sltl2、分别调整各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和所述第二杆状永磁铁的第一线圈的电流方向和电流大小，从而将经过所述第一杆状永磁铁与所述第二杆状永磁铁所在平面的束流，沿所述第一杆状永磁铁和所述第二杆永磁铁的中心的连线方向，相对于束流传输路径的第一偏转角度，以及沿平行于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的中线的方向，相对于束流传输路径的聚焦或发散角度进行微调；Sltl3、将经过偏转、聚焦或发散的束流注入目标工件。本专利技术又提供了一种如上所述的束流传输系统的束流传输方法，其特点是包括以下步骤S2tll、使所述第二杆状永磁铁的N极和S极的连线方向与所述第一杆状永磁铁的N极和S极的连线方向相同或相反，所述束流出射装置发射束流；S2tl2、分别调整各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和所述第二杆状永磁铁的第一线圈的电流方向和电流大小，从而将经过所述第一杆状永磁铁与所述第二杆状永磁铁所在平面的束流，沿所述第一杆状永磁铁和所述第二杆永磁铁的中心的连线方向，相对于束流传输路径的第一偏转角度，以及沿平行于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的中线的方向，相对于束流传输路径的聚焦或发散角度进行微调；S2tl3、分别调整各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线圈和所述第二杆状永磁铁的第二线圈的电流方向和电流大小，从而将经过所述第一杆状永磁铁与所述第二杆状永磁铁所在平面的束流，沿所述第一杆状永磁铁和所述第二杆永磁铁的中心的连线方向，相对于束流传输路径的第一偏转角度，以及沿平行于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的中线的方向，相对于束流传输路径的第二偏转角度进行微调；S2tl4、将经过偏转、聚焦或发散的束流注入目标工件。较佳地，当各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流方向相同时，所述第一偏转角度的变化量与各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流值的和正相关；当各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流方向相反时，所述第一偏转角度的变化量与各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流值的差正相关。较佳地，当各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流方向相同时，所述聚焦或发散角度的变化量与各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流值的差正相关；当各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状 永磁铁的第一线圈的电流方向相反时，所述聚焦或发散角度的变化量与各个所述第一线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第一线圈和位于第二杆状永磁铁的第一线圈的电流值的和正相关。较佳地，当各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线圈和位于第二杆状永磁铁的第二线圈的电流方向相同时，所述第一偏转角度的变化量与各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线圈和位于第二杆状永磁铁的第二线圈的电流值的和正相关；当各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线圈和位于第二杆状永磁铁的第二线圈的电流方向相反时，所述第一偏转角度的变化量与各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线圈和位于第二杆状永磁铁的第二线圈的电流值的差正相关。较佳地，当各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线圈和位于第二杆状永磁铁的第二线圈的电流方向相同时，所述第二偏转角度的变化量与各个所述第二线圈组中位于所述第一杆状永磁铁的第二线本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种束流传输系统，其包括一束流出射装置、一作为束流传输终点的目标工件，其特征在于，所述束流传输系统还包括相互平行地设置于束流传输路径两侧的一第一杆状永磁铁与一第二杆状永磁铁，所述第一杆状永磁铁的N极和S极的连线方向与所述第一杆状永磁铁的长度方向相同，所述第二杆状永磁铁的N极和S极的连线方向也与所述第二杆状永磁铁的长度方向相同，并且在所述第一杆状永磁铁和第二杆状永磁铁上设置有一个或多个相互独立的第一线圈组，每个所述第一线圈组均具有两个第一线圈，其中每个所述第一线圈组的两个第一线圈分别设置于所述第一杆状永磁铁和所述第二杆状永磁铁的长度方向上的相同位置。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱锋，
申请(专利权)人：上海凯世通半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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