一种气体回流预防装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种气体回流预防装置，设置在等离子体刻蚀设备的反应腔内，反应腔内设置有晶片基座，所述的气体回流预防装置套置在晶片基座外，其特点是，气体回流预防装置设为环状本体，环状本体上间隔设置多个气道，气道的上开口小于下开口；气道可垂直设置在环状本体中，也可以斜置在环状本体中与环状本体构成夹角。使用本发明专利技术气体回流预防装置的等离子体刻蚀设备实施博世工艺时，在两种气体切换时，能够防止前一种气体通过气道回流到反应腔上部空间与后一种气体混合，从而减短两种气体的切换间隔时间，减小博世工艺中形成的扇贝状侧墙，提高产品刻蚀质量，提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体刻蚀设备，尤其涉及ー种等离子体刻蚀设备的气体回流预防装置。
技术介绍
目前，半导体制造
中，硅通孔(TSV)技术在三维立体封装领域得到了广泛应用。硅通孔技术需要对晶片进行深反应离子刻蚀，现有技术中，深反应离子刻蚀通常采用博世エ艺(Bosch process)进行。博世エ艺主要包括以下步骤(I)刻蚀步骤，通常用含有SF6的混合气体进行化学反应离子刻蚀；(2)聚合物沉积钝化步骤，通常用含有C4H8的混合气体在孔洞内侧面形成氟碳聚合物层，以使下ー个周期的刻蚀步骤中化学反应离子刻蚀吋，SF6气体不会对侧壁的聚合物进行刻蚀或者刻蚀速率非常慢；刻蚀步骤和沉积步骤交替 循环进行，直到深孔刻蚀完成。采用交替重复进行各向同性刻蚀和聚合物沉积エ艺，从而实现完全的各向异性的深度刻蚀。如附图I所示，现有技术的ー种电感耦合等离子体刻蚀设备，其反应腔9设置有包覆在内部工作空间四周的腔壁31和顶部的介电板32，腔壁31上设置有气体注入板4，反应腔9内设置有晶片基座2，晶片基座2的下方设置有排气泵8。介电板32上方设置有射频线圈5，等离子体刻蚀设备工作时，射频线圈5与等离子体刻蚀设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气体回流预防装置（1），套置在等离子体刻蚀设备的反应腔（9）内的晶片基座（2）外，其特征在于，所述的气体回流预防装置（1）设为环状本体（11），所述的环状本体（11）上间隔设置多个气道（12），在等离子刻蚀设备工作过程中环状本体（11）的上表面气压大于环状本体（11）的下表面气压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周旭升，倪图强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：