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本发明公开了一种气体回流预防装置，设置在等离子体刻蚀设备的反应腔内，反应腔内设置有晶片基座，所述的气体回流预防装置套置在晶片基座外，其特点是，气体回流预防装置设为环状本体，环状本体上间隔设置多个气道，气道的上开口小于下开口；气道可垂直设置在...
该专利属于中微半导体设备（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）有限公司授权不得商用。

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