【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅制部件的制造方法和蚀刻处理装置用的硅制部件。
技术介绍
在蚀刻处理装置中，对硅制半导体晶片(以下称为晶片)上的各种硅膜进行蚀刻处理。在配置于蚀刻处理装置内的各种部件，恰当地选择内的各种部件当中，以不影响到上述处理的方式使用硅制部件。例如，在蚀刻处理装置内，硅制部件配置于包围载置于载置台上的晶片的聚焦环(focus ring)。并且，与载置台相对设置的相对电极的电极板上，也配置了娃制部件。配置于蚀刻处理装置内的硅制部件，在处理中，会暴露于等离子体中，于是，它会不断被消耗，劣化，其形状会慢慢改变。如果按原样继续使用这种发生着变化的硅制部件，则处理的再现性会变差。因此，消耗到一定程度的劣化了的硅制部件会被看作到该时间点其寿命已尽，并当作エ业废弃物扔棹。另ー方面，由于现有技术中使用于这种蚀刻处理装置用的硅制部件的都是价格高昂的单晶硅，于是，这也成为了随着蚀刻处理装置的运行易耗品成本提高的原因之一。于是，近年来，已经改为在硅制部件中使用多晶硅材料。例如，专利文献I中，提出了回收废弃娃材料，并用回收的废弃娃材料制造多晶娃的制造方法。专利文献I :日本特开20...
【技术保护点】
一种硅制部件的制造方法，其为对配置于蚀刻处理装置内的硅制部件进行由废弃硅材料再生利用而制造的蚀刻处理装置用的硅制部件的制造方法，该硅制部件的制造方法的特征在于，包含：将所述废弃硅材料或含该废弃硅材料的材料投入到坩埚进行熔化的工序；冷却并凝固所述已熔化的材料的工序；将包含所述凝固后的材料的至少上表面的部分切除，生成多晶硅的工序；和由所述生成的多晶硅制造所述硅制部件的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：长久保启一，今福光祐，大平贵彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。