【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种等离子体刻蚀设备。
技术介绍
在半导体加工工厂，工艺气体由气体注射系统注入反应腔并扩散，在高频电场作用下产生等离子体来刻蚀位于反应腔底部的晶片表面。在反应腔内部，非均匀性气体分布将导致反应腔底部的晶片表面上的刻蚀速率和均匀性有较大差异。随着技术的进步，反应腔的体积变得越来越大，这使得提供均匀的气体分布变得更加困难。特别是在反应腔的底部的四周通常分布着抽气孔，抽气孔与泵连接，泵通过抽气孔可以将反应腔内的气体抽走，在反应腔进气过程中，泵也一直在工作，这个过程容易使得反应腔抽气孔附近的气体较反 应腔中心处的气体稀薄。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。有鉴于此，本技术提供一种等离子体刻蚀设备，所述等离子体刻蚀设备的相应结构可以使反应腔内的气体分布的更加均匀。根据本技术的等离子体刻蚀设备，包括腔体，所述腔体内限定有反应腔，所述腔体的底部的周边具有与所述反应腔连通的多个抽气孔；静电卡盘，所述静电卡盘设在所述反应腔的底部；以及用于向所述反应腔提供反应气体的供气系统，所述供气系统包括气体扩散件，所述气体扩散件的底...
【技术保护点】
一种等离子体刻蚀设备，其特征在于，包括：腔体，所述腔体内限定有反应腔，所述腔体的底部的周边具有与所述反应腔连通的多个抽气孔；静电卡盘，所述静电卡盘设在所述反应腔的底部；以及用于向所述反应腔提供反应气体的供气系统，所述供气系统包括气体扩散件，所述气体扩散件的底面相对于其中心轴线呈倾斜角度，且所述倾斜角度为锐角，所述底面形成有多个出气孔。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王晶，李谦，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：
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