【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子体处理设备，更具体地，涉及ー种改善了耐等离子体蚀刻性能的等离子体处理设备。
技术介绍
通常，等离子体处理设备应用于等离子体化学气相沉积(CVD)设备、等离子体溅射设备、等离子体蚀刻设备、等离子体离子注入和掺杂设备等，以在衬底上形成薄膜。等离子体处理设备被构造成包括被布置成相互面对且留有处理空间的上和下电扱。在这种等离子体处理设备中，当在处理气体注入处理空间的情形下在电极之间施加射频(RF)功率时，在处理空间内产生等离子体，且在此时所产生的等离子体用于进行衬底处理工艺。随着衬底处理工艺进行，会发生腔室内壁被在该エ艺期间产生的等离子体蚀刻的现象。为了防止该现象，腔室内壁由耐蚀刻性能良好的材料制成，但即使在这种情形下，在集中分布有等离子体的衬底入口附近，蚀刻相对较活跃地发生。这种蚀刻现象不仅缩短等离子体处理设备的寿命，还会因为等离子体分布特性根据处理空间的变形而改变，导致难以处理均匀性质的衬底。
技术实现思路
因此，构思本专利技术以解决前述问题，且本专利技术的ー个方面是提供一种等离子体处理设备，该设备在形成衬底入ロ的位置处具有改善的耐蚀刻性能，且具有...
【技术保护点】
一种等离子体处理设备，包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀刻，且所述第一封盖部件被分成多个单元；以及第二封盖部件，被安装成覆盖所述腔室的一侧的内壁以及所述第一封盖部件朝向所述腔室的内侧方向形成的表面。
【技术特征摘要】
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