电感耦合等离子体处理装置具备：可变电容器控制装置，包括安装在源线圈上控制源线圈阻抗的可变电容器、使可变电容器自动旋转的电机及检测电机旋转的外部编码器；多个从控制器，对各个可变电容器控制装置分组并按组控制；主计算机，网络连接从控制器以控制...

本发明提供一种金属有机化学汽相淀积设备及其温度控制方法。该设备包括：腔室；安装在腔室内侧并能旋转的衬托器，其中，将至少一个衬底设置于衬托器上；加热衬托器的多个加热器，其温度被独立控制；气体喷射器，位于衬托器上部且朝向衬托器喷射III族气...

本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，基板位于所述承受器上。所述气体喷射器设置在所述承受器上方，并且将所述承受器上方限定的空间分隔成多个预定的空间。所述气体喷...

本发明所公开的是一种原子层沉积装置。所述装置包括反应室、承受器、气体喷射器和排气单元。所述承受器设置在所述反应室中，所述基板位于所述承受器上。所述气体喷射器设置在所述承受器上方，并且将所述承受器上方限定的空间分隔成多个预定的空间。所述气...

本发明提供一种用于基板沉积装置的控制装置，以便根据由基板温度传感器感测到的温度，实现对基板的总体表面状态以及基座的总体驱动状态的测量和测定。用于基板沉积装置的控制装置包括：温度传感器，用于感测放置在腔室内的基板的温度，以及支撑基板的基座...

本发明的电感耦合等离子体处理装置，具备：腔室；电介质窗，位于腔室上部；天线，安装在电介质窗的上侧；以及天线支撑架，用于支撑天线，且处于接地，所述天线具备：从电源延伸出的主干部；多个第一总线圈，从主干部分支而成；至少一个第二总线圈，从第一...

本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置，包括：腔室，在内部形成有工艺空间；源线圈，设在电介质窗外部的上侧，所述电介质窗设置在所述工艺空间的上部；接地板，设在所述源线圈和所述盖部之间，并形成有设置孔，经接地处理；可变电容器控制装置，以贯穿所...

本发明涉及的电感耦合等离子体处理装置，具备：腔室；源线圈，设在所述腔室的上部的电介质窗外侧；可变电容器控制装置，其包括与所述源线圈连接而用于控制阻抗的可变电容器、使所述可变电容器自动旋转的电机以及用于检测所述电机的旋转的外部编码器；控制...

本发明涉及气体吸排单元及具备该气体吸排单元的原子层沉积装置。气体吸排单元可以包括：内部形成有供气流道的供气管；在内部形成与所述供气流道连通的排气流道的排气管；围绕所述排气管的外周面的至少一部分，从而在内部形成吸气流道的吸气管。因此，当配...

本发明的原子层沉积装置，包括供气管和吸气管，该供气管具备：供给管体，在其内部沿长度方向形成有供给气体的供气流道；排气部，沿供给管体的长度方向形成于供给管体，并与供气流道连通；该吸气管具备：吸入管体，在其内部沿长度方向形成有吸入气体的吸气...

本发明涉及一种气体喷注装置、原子层沉积装置以及使用该装置的原子层沉积方法。所述气体喷注装置被配置成单管形状。气体通过所述气体喷注装置的中心部分被供应到衬底上。同时，通过在沿着供气管的外表面的特定部分中所形成的进气孔所供应的气体被吸入。因...

本发明提供一种能够缩短对形成有有机发光层的基板和保护膜进行加热所需要的时间，从而消除物流堆积现象的有机发光元件封装装置以及有机发光元件封装方法。本发明的有机发光元件封装装置，包括，临时接合腔室，由形成有有机发光层的基板和保护膜临时接合而...

需要开发出即便使用薄的加工基板也能够使加工基板运送过程中的损坏最小化的方法及系统。为了解决所述问题，本发明涉及的基板贴合方法，包括如下步骤：a）准备加工基板及运送用基板的步骤；b）将加工基板及运送用基板移送到贴合单元的步骤；以及，c）为...

本发明提供了化学气相沉积装置的温度控制方法。该方法可以准确地了解晶座的表面温度与基板的表面温度之间的差异而无需使用复杂并且昂贵的设备。该方法包括以下步骤：检测顶表面上装载有基板的晶座的旋转状态；测量所述晶座的顶表面的温度；基于检测到的旋...

本发明提供一种有机金属化学气相沉积装置，包括：反应室，在所述反应室中，通过使用第III-V族材料，将氮化物层沉积在衬底上，缓冲室，所述缓冲室连接到反应室，在所述缓冲室中布置有传送机器人，以便将所述衬底传送到反应室中和传送出反应室，气体供...

在衬底上形成薄膜的过程中，需要一种衬底处理方法来提高过程效率并形成高质量的薄膜。为此，根据本发明的衬底处理方法包括：在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的未掺杂层；将所述衬底从所述第一腔取出到缓冲腔，然后将所...

本实用新型涉及的真空腔包括：外壳，具有用于收容或移送被处理体的空间；排气槽，形成在所述外壳的内侧面上；排气孔，形成在所述排气槽的一面上，并贯穿所述外壳；以及排气泵，与所述排气孔连接，用于排出所述外壳内部的气体。本实用新型可降低腔体的制造...

本实用新型涉及一种等离子体处理设备，所述设备包括：腔室，形成执行等离子体工艺的处理空间，且包括开口，通过该开口能够将衬底运入所述处理空间或从所述处理空间中取出；第一封盖部件，被安装成覆盖所述开口的内周表面，以防止所述内周表面被等离子体蚀...

本发明提供一种在薄膜沉积时根据坩埚内的有机物质剩余量而适当地调整加热位置地构成的坩埚装置及其控制方法、能够更加准确地测量沉积到基板上的薄膜厚度的膜厚测量装置、及包含该坩埚装置及/或膜厚测量装置的薄膜沉积设备。

在衬底上形成薄膜的过程中，需要一种衬底处理方法来提高过程效率并形成高质量的薄膜。为此，根据本发明的衬底处理方法包括：在第一腔中通过气相沉积过程在衬底上形成包括III族元素和V族元素的n型层；将所述衬底从所述第一腔取出到缓冲腔，然后将所述...