【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，更具体地，涉及包括多个反应室的有机金属化学气相沉积装置和使用该装置的有机金属化学气相沉积方法。
技术介绍
众所周知，氮化物是用于制造发光二极管的材料。通常，发光二极管具有堆叠结构，该堆叠结构由以下组成:在蓝宝石衬底上的氮化镓晶体构成的缓冲层，由η-型GaN晶体构成的η-型掺杂层，由氮化铟镓(InGaN)构成的活性层，以及由ρ_型GaN晶体构成的ρ-型掺杂层。这样的发光二极管的沉积过程在同一反应室中连续执行。该过程花费4到10小时。第一过程执行后，必须打扫反应室，然后执行第二过程。通常，反应室由工人手工打扫。因此，有机金属化学气相沉积(metal organic chemicalvapor deposition,M0CVD)装置的效率很低。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机金属化学气相沉积装置以及使用所述装置的有机金属化学气相沉积方法，所述有机金属化学气相沉积装置包括与多个反应室连接的缓冲室，所述缓冲室被设置为对其温度和内部气体气氛进行调节，从而提高有机金属化学气相沉积过程的效率。根据本专利技术的一方面，所述有机金属化学气相沉积装置包括:多个反应室...
【技术保护点】
一种有机金属化学气相沉积方法，包括：将衬底从缓冲室传送到第一反应室；在所述第一反应室中，在所述衬底上生长未掺杂层、n‑型掺杂层、和活性层；将所述衬底从所述第一反应室传送到第二反应室；以及在所述活性层上形成p‑型掺杂层。
【技术特征摘要】
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