电感耦合等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术的电感耦合等离子体处理装置，具备：腔室；电介质窗，位于腔室上部；天线，安装在电介质窗的上侧；以及天线支撑架，用于支撑天线，且处于接地，所述天线具备：从电源延伸出的主干部；多个第一总线圈，从主干部分支而成；至少一个第二总线圈，从第一总线圈的末端分支而成；多个源线圈，从第二总线圈分支而成，且各末端与天线支撑架形成接地，所述第二总线圈上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置。根据本发明专利技术的电感耦合等离子体处理，能够精密地控制连接在每个源线圈上以进行调节阻抗的可变电容器的动作，从而能够有效地控制多个源线圈的阻抗，并且通过将多个可变电容器设置在源线圈的入口端和总线圈上，能够精密地控制阻抗。

【技术实现步骤摘要】
电感耦合等离子体处理装置
本专利技术涉及电感耦合等离子体处理装置，具体涉及使得阻抗控制有效形成的电感耦合离子体的处理装置。
技术介绍
电感耦合等离子体处理装置是在半导体以及显示器的制造工艺中的蚀刻工艺或蒸发工艺中使用的装置。与反应式离子蚀刻装置或电容耦合等离子体蚀刻装置相比，用于蚀刻工艺的电感耦合等离子体处理装置对金属的蚀刻效率相对突出。但是，电感耦合等离子体处理装置对大面积基板上进行蚀刻时在使用上存在困难。通常，天线设置在电感耦合等离子体处理装置的真空腔室的上部。为了对大面积的基板进行有效的蚀刻，天线的配置和阻抗的控制是非常重要的技术要素。另外，无论多么有效地布置天线，由于天线本身长而复杂的结构，难以有效地进行阻抗控制。为了对大面积基板进行蚀刻，需要按区域分别设置天线。对更大面积的基板进行处理时，可以将这种螺旋形天线分别设置在多个不同区域，但是这种天线结构和用于处理大面积基板的阻抗控制存在更大的困难。在先技术文献韩国公开专利号第10-2010-0053253号，“电感耦合等离子体天线”
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电感耦合等离子体处理装置，在多个源线圈上安装被个别控制的多个可变电容器，从而提高基板处理的均匀性。根据本专利技术的耦合等离子体处理装置，其具备:腔室；位于所述腔室的上部的电介质窗以及安装在所述电介质窗的上侧的天线；天线支撑架，其支撑所述天线，且处于接地，所述天线具备:从电源延伸出的主干部；从所述主干部分支而成的多个第一总线圈；从所述第一总线圈的末端分支而成的至少一个第二总线圈；从所述第二总线圈分支成多个，且各末端与所述天线支撑架形成接地的源线圈。所述第二总线圈上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置。位于所述天线支撑架的上部的所述源线圈可以设置为，相邻的源线圈的电流方向相反。所述第一总线圈上可以分别安装有第一总线圈可变电容器控制装置。所述第一总线圈可变电容器控制装置可以设置在使各个所述第一总线圈侧的电感值相等的位置。所述可变电容器控制装置可以包含:连接在所述天线上的可变电容器、自动旋转所述可变电容器的电机以及检测所述电机的旋转的外部编码器。根据本专利技术的电感耦合等离子体处理，能够精密地控制连接在每个源线圈上调节阻抗的可变电容器的动作，从而能够有效地控制多个源线圈的阻抗，并且通过将多个可变电容器设置在源线圈的入口端和总线圈，从而能够精密地控制阻抗。【附图说明】:图1是根据本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置的图。图2是本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置中，可变电容器控制装置设置在第二总线圈上的状态图。图3是本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置中，可变电容器控制装置设置在第一总线圈和第二总线圈上的状态图。图4是在本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置上，随着源线圈上设置的电容器的数量而变化的压降的说明图。图5是本专利技术实施例的设置于电感耦合等离子体处理装置上的可变电容器控制装置的图。附图标记:200、天线210、第一总线圈220、第二总线圈230、源线圈【具体实施方式】下面，参照【附图说明】本专利技术涉及的电感耦合等离子体处理装置的实施例。但是，本专利技术并不限定于下面公开的实施例，可以以各种形式实现，下面说明的实施例只是用于充分公开本专利技术，以便本领域的技术人员充分了解专利技术的保护范围。图1是根据本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置的图，图2是根据本专利技术实施例的电感稱合等离子体处理装置的源线圈的入口端(Inlet portion)上设置可变电容器控制装置的状态图。如图1和图2所示，本专利技术的电感耦合等离子体处理装置具备腔室10，该腔室10具备闸门14，并设置有排气孔11以将工艺空间内部抽成真空状态。腔室10内部设置有安装基板(晶片或者大小多样的透明的基板)的工作台12。工作台12的上面设置有卡紧基板的静电卡盘13。腔室10上部设置有电介质窗15，电介质窗15的上部安装有形成天线设置部16的天线支撑架17。该天线支撑架17处于接地状态。天线支撑架17的上部设置天线200。天线200的上部设置射频电源30。天线200具备:主干部，其从射频电源30延伸；多个第一总线圈210，其从主干部分支而成；2个第二总线圈220，其从每个第一总线圈220的末端分支而成，第二总线圈220的末端分支成4个源线圈230。该4个源线圈230向相同的方向以直角弯曲3次后，其末端与天线支撑架17形成接地。而且，安装在每个区域中的每个源线圈230都向相同的方向均等地弯曲。第二总线圈220上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置100。另外，天线设置部16被划分为9个区域Al?A19，其每个区域上都设有源线圈230。设在每个区域Al?A19上的源线圈230分为第一?第四源线圈230共4个线圈，其均向相同的方向缠绕。设置在每个区域中的源线圈230的缠绕方向与相邻区域中的源线圈230的缠绕方向相反，继而电流方向也相反。如图2所示，可变电容器控制装置100可以设置在每个第二总线圈220上，或如图3所示，也可以设置在第一总线圈210和第二源线圈220两者上。如图3，当可变电容器控制装置100设置在第一总线圈210和第二源线圈220两者上时，每个第一总线圈210上的可变电容器控制装置100都设置在电感值相等的位置上。本专利技术实施例的可变电容器控制装置100的阻抗调苄基于数学式I。另外，可变电容器控制装置100的设置位置可能因总线圈的长度而不同。因此，可以根据数学式I测定总线圈中具有相等的电感值的位置后，在相应的位置上设置可变电容器控制装置。【数学公式I】Z=R+jffL+l/jffC其中，Z为复阻抗值，R为阻抗，j为虚数单位，W为频率常数，L为电感，C为电容。根据数学公式1，由于通过调节电容“C”可调节复阻抗值，因此，在每个源线圈230上都能够实现阻抗控制。图4是在本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置上，根据源线圈上设置的电容器数量而变化的压降的说明图。如图4所示，根据可变电容器控制装置100在每个总线圈210、220的等同位置上设置的数量，在每个源线圈上产生压降。因此，如本专利技术的实施例，在具有相等电感值的位置上设置多个可变电容器控制装置100时，在每个源线圈230上产生压降，因此，能够更精密地调节所需的阻抗。如图4所示，当设置2个电容器时，在设置可变电容器的区域内分别实现1/2的压降；设置4个可变电容器时，在设置4个可变电容器的区域分别实现1/4的压降。因此，如果将可变电容器控制装置100设置在第二总线圈220或第一总线圈210和第二总线圈220两者上时，能够更加精密、细致地进行每个源线圈230的阻抗控制。图5是表示本专利技术实施例的电感耦合等离子体处理装置中的可变电容器控制装置的图。如图5所示，可变电容器控制装置100包括:电机110 ;外部编码器120，其设置在从电机Iio延伸出的旋转轴上；绝缘法兰130，其经由外部编码器120延伸；可变电容器(VVC:Vacuum Variable Capacitor)140,其从绝缘法兰130延伸，且传动轴与绝缘法兰130连接；冷却单元150，其设置在可变电容器140的端部。电机110为步进电机。外部编码器120包含:圆盘121，沿圆周以每7.2度形成共计50个检测孔121a ;检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，具备：腔室；电介质窗，位于所述腔室的上部；天线，安装在所述电介质窗的上侧；以及天线支撑架，用于支撑所述天线，且处于接地，所述天线具备：从电源延伸出的主干部；多个第一总线圈，从所述主干部分支而成；至少一个第二总线圈，从所述第一总线圈的末端分支而成；多个源线圈，从所述第二总线圈分支而成，且各末端与所述天线支撑架形成接地，所述第二总线圈上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置。

【技术特征摘要】
2012.12.28 KR 10-2012-01566921.一种电感耦合型等离子体处理装置，其特征在于，具备: 腔室； 电介质窗，位于所述腔室的上部； 天线，安装在所述电介质窗的上侧；以及 天线支撑架，用于支撑所述天线，且处于接地， 所述天线具备: 从电源延伸出的主干部； 多个第一总线圈，从所述主干部分支而成； 至少一个第二总线圈，从所述第一总线圈的末端分支而成； 多个源线圈，从所述第二总线圈分支而成，且各末端与所述天线支撑架形成接地， 所述第二总线圈上分别安装有第二总线圈可变电容器控制装置。2.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李炅锡，丘炳熙，金正泰，孙东植，李庆汉，林正焕，崔智淑，
申请(专利权)人：丽佳达普株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR