【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使用高频对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置，特别涉及具备用于使不需要的高频的噪声衰减的滤波电路的等离子体处理装置。
技术介绍
在为了使用等离子体制造半导体器件或FPD (Flat Panel Display :平板显示器)而进行的微细加工中，被处理基板(半导体晶片、玻璃基板等)上的等离子体密度分布的控制非常重要，基板的温度或温度分布的控制也非常重要。当基板的温度控制没有被适当地 进行时，不能够确保基板表面上的工艺的均匀性，半导体装置或显示装置的制造成品率会下降。一般而言，在等离子体处理装置、特别是在电容耦合型的等离子体处理装置的腔室内，用于载置被处理基板的载置台或基座具有向等离子体空间施加高频的高频电极的功能、通过静电吸附等保持基板的保持部的功能、和通过传热将基板控制在规定温度的温度控制部的功能。关于温度控制功能，要求能够适当补正因来自等离子体和腔室壁的辐射热的不均匀性而产生的输向基板的热量的特性的分布、以及因基板支撑结构而产生的热分布。历来，为了控制基座上表面的温度(以及基板的温度)，多使用在基座或基座支撑台的内部设置流通制冷剂的制冷剂...
【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其将输出第一高频的第一高频电源电连接在设置于能够减压的处理容器内的第一电极上，并设置有用于使从发热体进入第一和第二供电线上的高频噪声衰减的滤波电路，该第一和第二供电线用于电连接设置在所述第一电极上的所述发热体和加热器电源，该等离子体处理装置的特征在于：在所述第一和第二供电线上从所述发热体看，在所述滤波电路的初段分别设置有第一和第二空芯线圈，所述第一和第二空芯线圈相互同轴，且具有大致相等的卷线长度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山泽阳平，奥西直彦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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