半导体制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。半导体制造装置（1）具备：对处理空间S进行划分的处理容器（2），该处理容器（2）具有上表面（2a）；设于处理空间S内的载置台（3）；以与载置台（3）对面的方式设于该载置台的上方的上部电极（20）；对上部电极（20）进行加热的加热器（35）、（36），该加热器（35）、（36）设于上部电极（20）的周围且上表面（2a）的下方；搭载于上表面（2a）的隔热部件（50），隔热部件（50）包含板状部（51）和设于该板状部（51）的一方的主面（51a）侧的隔热部（52）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造装置。
技术介绍
作为现有的半导体制造装置，已知有例如专利文献I中记载的装置。专利文献I中记载的半导体制造装置包括载置半导体晶片的载置台；处理容器，其具有设置于载置台的上方且与载置台平行地对置的上部电极；向载置台施加高频的高频电源；和向上部电极供给处理气体的处理气体供给部。该半导体制造装置作为平行平板式的等离子体蚀刻装 置而构成。现有技术文献专利文献I :日本特开2006 - 286733号公报在具有如上所述的构成的平行平板式半导体制造装置中，有时在上部电极的附近设有用于加热上部电极(向上部电极供给的处理气体)的加热器。在这种半导体制造装置中，要求抑制消耗电力。
技术实现思路
本专利技术是用于解决上述课题而设立的，其目的在于，提供一种可抑制消耗电力的半导体制造装置。本专利技术一方面提供一种半导体制造装置，包括划分形成处理空间并具有上表面的处理容器；设置于所述处理空间内的载置台；上部电极，以与所述载置台对置的方式设置于该载置台的上方；加热器，加热所述上部电极，设置于所述上部电极的周围且所述上表面的下方；和搭载于所述上表面的隔热部件，所述隔热部件包括板状部和设置于该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体制造装置，其特征在于，包括：划分形成处理空间并具有上表面的处理容器；设置于所述处理空间内的载置台；上部电极，以与所述载置台对置的方式设置于该载置台的上方；加热器，加热所述上部电极，设置于所述上部电极的周围且所述上表面的下方；和搭载于所述上表面的隔热部件，所述隔热部件包括：板状部和设置于该板状部的一方的主面侧的隔热部。

【技术特征摘要】
2011.06.21 JP 2011-1375061.一种半导体制造装置，其特征在于，包括 划分形成处理空间并具有上表面的处理容器； 设置于所述处理空间内的载置台； 上部电极，以与所述载置台对置的方式设置于该载置台的上方； 加热器，加热所述上部电极，设置于所述上部电极的周围且所述上表面的下方；和 搭载于所述上表面的隔热部件， 所述隔热部件包括板状部和设置于该板状部的一方的主面侧的隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林敦，三浦和幸，安室章，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：